中科微電ZK30N100G

MOS 場效應管電子元器

型號： ZK30N100G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

V DSS 30
V GS (th)_ 1.5
典型導通電阻 3.8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZK30N100G是一款N溝道增強型功率場效應晶體管（N-channelEnhancementModePowerMOSFET）。

采用先進溝槽技術(shù)（AdvancedTrenchTechnology）。
具備出色的導通電阻（RDS(ON)?）和低柵極電荷（LowGateCharge）特性。
獲得無鉛產(chǎn)品認證（Leadfreeproductisacquired）。
100%通過單脈沖雪崩測試（100%UISTESTED!）。
100%通過漏源電壓變化測試（100%ΔVdsTESTED!）。

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產(chǎn)品文章資料

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產(chǎn)品型號：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
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在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應用場景中，MOSFET的性能直接決定了整個系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù)，成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件，為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關(guān)解決方案。

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在MOS管技術(shù)持續(xù)演進的當下，高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對功率半導體技術(shù)的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產(chǎn)品搭載先進的Trench（溝槽）工藝，采用PDFN5x6-8L緊湊封裝，在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼，為汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等多領(lǐng)域的電路設計提供了高效解決方案，成為N+P

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160A大電流賦能低壓場景：中科微電ZK30G011Q MOS管技術(shù)解析2025-10-30 10:16

在低壓大電流功率控制領(lǐng)域，器件的電流承載能力、能效水平與小型化適配性成為衡量性能的核心指標。中科微電推出的ZK30G011Q N溝道MOS管，憑借30V耐壓與160A超大電流的參數(shù)突破，結(jié)合Trench工藝與緊湊封裝設計，為消費電子、工業(yè)控制等場景提供了高效穩(wěn)定的功率開關(guān)解決方案，重新定義了低壓大電流器件的性能邊界。

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雙向控制賦能低壓場景：中科微電ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應用探索2025-10-28 15:34

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隨著電子設備向高功率、小型化、高效能方向快速迭代，功率MOS管作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件，其性能表現(xiàn)直接決定了整機的運行效率與可靠性。在中高壓、中大功率應用場景中，如何平衡電壓承載、電流控制、能量損耗與穩(wěn)定性，成為行業(yè)研發(fā)的核心課題。中科微電作為國內(nèi)功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)先行者，憑借對SGT（屏蔽柵溝槽）工藝的深度鉆研，推出了ZK150G09T N溝道MOS

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