動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-02 08:14

  IPAC碳化硅直播季丨如何設計2000V CoolSiC™驅動評估板

  

  英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發(fā)團隊，免費教學，帶您深入了解兩款評估板設計精髓與測試要點，領略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠

  SiC 碳化硅 評估板

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 08:14

  新品 | 可直接驅動的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

  

  新品可直接驅動的單端反激式輔助電源用1700VCoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFET1700VG1450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封裝，適用于單端反激式輔助電源，主要應用如太陽能逆變器、電動汽車充電器、UPS和通用電機驅動器。主要特點包括：可由反激式控制器直接驅動，無需柵極驅動器IC、高耐壓且損耗小、.XT互連技

  MOSFET SiC 輔助電源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-31 08:14

  ?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術助力電力電子行業(yè)變革

  

  該技術將對數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。在日新月異的電力電子行業(yè)，對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對于新一代硅基MOSFET，英飛凌進行了巨大的研發(fā)投入，以重新定義系統(tǒng)集成標準，使其在廣泛的電力電子應用中能夠實現(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌，CoolMOS8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項先進的MOSFET技術，

  MOS MOSFET 二極管 元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-07-27 08:14

  新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

  

  新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅動器，具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流，采用DSO-8封裝，用于驅動功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號：2ED2388S06F產(chǎn)品特點工作電壓（相對于VS）高達+650V負VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應用價值集成自舉

  MOSFET 二極管 驅動器

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• 發(fā)布了文章 2024-07-25 08:14

  PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

  

  /摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和數(shù)學計算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對分流的影響。最后提出了驅動電路設計建議和柵極電阻設計方法。導言隨著市場和應用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來越重要的趨勢。目前，

  MOSFET SiC 驅動電路

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• 發(fā)布了文章 2024-07-24 08:14

  新品 | 雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊

  

  新品雙通道交錯PFC級和三相逆變橋Easy模塊EasyPIM2B集成PIM模塊，帶雙通道交錯PFC級和三相逆變橋，適用于熱泵/暖通空調應用。產(chǎn)品型號：FB50R07W2E3_B23EasyPIM2B650V50APIM模塊，采用50AHighspeed5交錯PFC級，50A溝槽柵截止層IGBT3，發(fā)射極受控Emcon3二極管的逆變三相橋，壓接安裝和NTC。F

  easy PFC 模塊 逆變橋

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• 發(fā)布了文章 2024-07-23 08:14

  參加研討會，下載白皮書 | 揭秘功率轉換技術如何重塑綠色氫能

  

  全球綠色氫能需求激增，制造商競相擴產(chǎn)，目標2030年前達155GW/年產(chǎn)能。展望至2050年，預計全球將有60%至80%的氫氣供應實現(xiàn)脫碳。電解水作為綠色氫能基礎設施的基石，其重要性日益凸顯。鑒于電解水過程對高水平且穩(wěn)定直流電流的嚴格要求，電能轉換系統(tǒng)（PCS）在電解制氫設備中扮演著至關重要的角色。線上研討會直播主題驅動綠色未來：功率半導體在制氫電能轉換的革

  PCS 功率轉換 新能源

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• 發(fā)布了文章 2024-07-20 08:14

  簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制

  

  簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制

  GaN IGBT 半導體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-07-19 08:14

  直播預告 | 驅動綠色未來：功率半導體在制氫電能轉換的革新解決方案

  

  氫能因其能量密度高、熱值高、儲量豐富等特點被專家學者認為是最具應用前景的能源之一。作為高效的儲能載體，氫能有望解決可再生能源實現(xiàn)大規(guī)?？缂竟?jié)儲存和運輸?shù)碾y題。本次研討會將深入探討功率半導體尤其是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在綠色制氫領域的應用。IGBT作為電源解決方案，能夠顯著提高能源轉換效率，并完美適配新能源電網(wǎng)，確保制氫過程的穩(wěn)定和高效，進而提高系統(tǒng)的

  功率半導體 電網(wǎng) 電能轉換

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• 發(fā)布了文章 2024-07-18 08:14

  新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關評估板

  

  新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關評估板EVAL-iSSI30R11H用于評估應用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品的功能。評估板為交流固態(tài)開關配置，使用iSSI30R11H驅動兩個CoolMOSIPQC60R010S7MOSFET，溫度采樣外接PTC。產(chǎn)品型號：EVAL-iSSI30R11H評估板所用器件：固態(tài)隔離器：i

  MOSFET 評估板 隔離器

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