動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-10-22 08:01

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱阻

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• 發(fā)布了文章 2024-10-17 08:03

  新品 | 3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)

  

  新品3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)是采用英飛凌功率半導(dǎo)體、驅(qū)動(dòng)器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無(wú)橋圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應(yīng)用。圖騰柱設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便易行，減少了元件數(shù)量，并充分利用了PFC電感器和功率開關(guān)，從而以有限的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)高功率密度。相關(guān)器件：RE

  PFC 功率半導(dǎo)體 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2024-10-15 08:04

  10月25日｜英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇

  

  誠(chéng)邀您參加英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇。本次論壇將由Infineon和業(yè)內(nèi)專家共同主持，向您全方位展示Infineon儲(chǔ)存器解決方案在汽車和工業(yè)應(yīng)用中的最新設(shè)計(jì)趨勢(shì)和用例。論壇面向?qū)ο螅罕緦谜搲饕嫦蚍桨冈O(shè)計(jì)群體（系統(tǒng)架構(gòu)師、設(shè)計(jì)工程師等），探討（由多種需求驅(qū)動(dòng)的）設(shè)計(jì)復(fù)雜度增加，和資格認(rèn)證所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，以及如何減少開發(fā)成本并縮短上市時(shí)間。話題涵蓋：可

  儲(chǔ)存器 汽車 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-10-13 08:04

  新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

  

  新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關(guān)IGBT模塊已采用我們最新一代的芯片，以滿足MVD、輸配電和交通行業(yè)應(yīng)用當(dāng)前和未來(lái)的要求。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極控制二極管EmCon4，標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸為140x190mm2，與上一代產(chǎn)品一樣，可提供驅(qū)動(dòng)電壓VGE=25

  IGBT 二極管 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-10-09 08:04

  新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM

  

  新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管Emcon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產(chǎn)品組合包括從10A，15A和20A三種新

  IGBT IPM 二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-01 08:06

  采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK™為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案

  

  本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW

  IGBT 變流器 風(fēng)能

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• 發(fā)布了文章 2024-09-30 08:03

  新疆如何實(shí)現(xiàn)給全國(guó)充電？

  

  想象一下，僅僅在眨眼之間——0.01秒的瞬息，新疆的磅礴能源便能跨越千山萬(wàn)水，抵達(dá)3300公里外的安徽，點(diǎn)亮萬(wàn)家燈火。這，便是吉泉特高壓直流輸電工程——一項(xiàng)集電壓等級(jí)之巔、輸送能量之巨、輸電距離之遠(yuǎn)、技術(shù)水平之先進(jìn)于一身的超級(jí)工程，UHVDC！從新疆準(zhǔn)東（昌吉）換流站啟程，這條能源動(dòng)脈穿越廣袤的戈壁，翻越巍峨的天山，沿著歷史悠久的河西走廊蜿蜒前行，最終跨越奔

  清潔能源 能源 額定電壓

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• 發(fā)布了文章 2024-09-27 08:05

  新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

  

  新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號(hào)：■IMBG4

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-09-26 08:05

  新品 | 用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE™四通道數(shù)字隔離器

  

  新品用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE四通道數(shù)字隔離器ISOFACE四通道數(shù)字隔離器系列支持高達(dá)40Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，可確保在寬環(huán)境條件下進(jìn)行穩(wěn)健的數(shù)據(jù)通信。工作溫度范圍（-40°C至+125°C）。寬體DSO-16封裝中的四個(gè)數(shù)據(jù)通道可簡(jiǎn)化高功率密度設(shè)計(jì)，并以低電流消耗提高系統(tǒng)效率。現(xiàn)在還提供4+0通道配置。產(chǎn)品型號(hào)：■4DIR0400H■4DIR0

  四通道 數(shù)字隔離器 汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:06

  功率半導(dǎo)體讓生活更美好

  

  功率半導(dǎo)體讓生活更美好

  功率半導(dǎo)體 電力電子 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

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