動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-08-30 12:25
離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性,電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景下,不平衡負(fù)載帶載能力,諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。三相四橋臂(3P4L)變流器具有最強(qiáng)的不平衡負(fù)載能力,但對(duì)比三相三線(xiàn)(3P3W)系統(tǒng),成本增加,諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性,相較IGBT可大幅提升開(kāi)關(guān) -
發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24
新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個(gè)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC系列,用于驅(qū)動(dòng)SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產(chǎn)品均采用14引腳DSO封裝,輸入-輸出爬電間距為8mm,加強(qiáng)絕緣。所有型號(hào)都具有死區(qū)時(shí)間控制(DTC)功能和獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24
系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理,以及開(kāi)通電流振蕩的原因。除了寄生電感對(duì)功率器件電壓應(yīng)力的影響外,本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開(kāi)通電流應(yīng)力、電流振蕩和開(kāi)通損耗的負(fù)面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長(zhǎng),SiC器件越來(lái)越受到工程師 -
發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24
新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET
新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET集成溫度傳感器的CoolMOSS7T和S7TA提高了結(jié)溫測(cè)量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)健性,測(cè)溫簡(jiǎn)單,并實(shí)現(xiàn)了功能安全。該器件針對(duì)低頻和大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。它非常適合固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中的輸入整流等工業(yè)應(yīng)用,以及汽車(chē)中的電池分?jǐn)唷㈦娮颖kU(xiǎn)絲和車(chē)載充電器。溫度傳感器增強(qiáng)了CoolM -
發(fā)布了文章 2024-08-14 08:14
英飛凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達(dá) 4 千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
英飛凌科技推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的低功耗CIPOSMaxi智能功率模塊(IPM)系列,進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1系列基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì),該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗,提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包879瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-13 08:14
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發(fā)布了文章 2024-08-11 08:14
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發(fā)布了文章 2024-08-10 08:14
英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)
●馬來(lái)西亞***、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新工廠(chǎng)一期項(xiàng)目的生產(chǎn)啟動(dòng)儀式。●新晶圓廠(chǎng)將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。●強(qiáng)有力的客戶(hù)支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐?!窬恿志A廠(chǎng)100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。全球推進(jìn)低碳化的舉措拉動(dòng)了對(duì)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求。順應(yīng)這一趨勢(shì),英飛凌科技股 -
發(fā)布了文章 2024-08-08 08:14
PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長(zhǎng)期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOSFET技術(shù)開(kāi)關(guān)損耗低、導(dǎo)通電阻小,非常適合三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本文簡(jiǎn)要介紹了該器件的設(shè)計(jì)理念,并研究了其在ANPC拓?fù)涞娜嘟涣魍ㄓ霉I(yè)驅(qū)動(dòng)器中的性能,該驅(qū)動(dòng)器工作在高達(dá)750VDC的輸入電壓下。簡(jiǎn)介目前400V2.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-06 08:14
一款適用于光伏應(yīng)用的半橋評(píng)估板設(shè)計(jì)
8月7日14:00,IPAC技術(shù)專(zhuān)家線(xiàn)上手把手免費(fèi)教學(xué)2kV碳化硅驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)&如何使用評(píng)估板助力系統(tǒng)設(shè)計(jì)掃描下方二維碼,立即報(bào)名,直播內(nèi)容,先睹為快!光伏,作為重點(diǎn)發(fā)展的新質(zhì)生產(chǎn)力,其市場(chǎng)規(guī)模仍在迅速發(fā)展擴(kuò)大中,其技術(shù)迭代也在不斷演進(jìn)升級(jí)。英飛凌作為半導(dǎo)體技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用的領(lǐng)軍企業(yè),發(fā)布了一系列具有差異化附加價(jià)值的創(chuàng)新半導(dǎo)體,并同時(shí)推出了一款適用于光伏應(yīng)用的半