DRV8317提供三個集成MOSFET半橋，用于驅(qū)動具有5V、9V、12V或18V直流電源軌或2s至4s電池的三相無刷直流（BLDC）電機。該器件提供集成的三相電流檢測，無需外部檢測電阻。DRV8317具有集成LDO，可提供穩(wěn)壓的3.3V電源軌，能夠為MCU、邏輯電路、霍爾傳感器等外部負載提供高達80mA的電流，

DRV8317提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案，可用于使用外部微控制器實現(xiàn)有傳感器或無傳感器的磁場定向控制（FOC）、正弦控制或梯形控制。DRV8317能夠驅(qū)動高達 200 kHz 的 PWM 頻率。DRV8317可通過 SPI （DRV8317S） 或引腳 （DRV8317H） 進行高度配置 - PWM 模式、壓擺率、電流檢測增益是一些可配置功能。
*附件：drv8317.pdf

DRV8317集成了許多保護功能，包括電源欠壓鎖定 （UVLO）、過壓保護 （OVP）、電荷泵欠壓 （CPUV）、過流保護 （OCP）、過溫警告 （OTW） 和過溫關(guān)斷 （OTS），以保護器件、電機和系統(tǒng)免受故障事件的影響。故障情況由nFAULT引腳指示。

特性

• 三相BLDC電機驅(qū)動器
  • 用于EMI緩解的可配置壓擺率
  • 可編程增益電流檢測
  • 支持高達 200kHz 的 PWM 頻率
  • 集成射穿保護
• 4.5V 至 20V 工作電壓
  • 24V 絕對最大電壓
• 高輸出電流能力
  • 5A 峰值電流驅(qū)動
• 低導(dǎo)通電阻 MOSFET
  • R DS（開） （HS + LS） 在 T 處 一個 = 25°C ： 130mΩ （典型值）
• 超低Q電流睡眠模式
  • 3μA（最大值）（V時） 虛擬機 = 12伏，T 一個 = 25°C
• 多種控制接口選項
  • 6 個 PWM 控制接口
  • 3 個 PWM 控制接口
• 集成電流檢測
  • 無需外部電流檢測電阻
  • 三相電流檢測輸出
• SPI 和硬件設(shè)備變體
  • 10MHz SPI 接口變體，靈活性高
  • 引腳可配置變體，簡化
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 內(nèi)置 3.3V ± 4.5%、80mA LDO 穩(wěn)壓器
• 集成保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • VM 過壓保護 （OVP）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 過溫警告和關(guān)機 （OTW/OTS）
  • 故障狀態(tài)指示引腳 （nFAULT）

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8317是德州儀器（TI）推出的車規(guī)級三相無刷直流電機（BLDC）驅(qū)動器，符合AEC-Q100標準，工作電壓范圍4.5V至20V（峰值24V），支持5A峰值輸出電流。關(guān)鍵特性包括：

• ?高集成度?：集成3個半橋MOSFET（總導(dǎo)通電阻130mΩ）、電荷泵、3.3V/80mA LDO穩(wěn)壓器及三相電流檢測放大器（無需外部分流電阻）。
• ?控制接口?：提供SPI（DRV8317S）和硬件引腳配置（DRV8317H）兩種變體，支持6x/3x PWM控制模式，最高200kHz PWM頻率。
• ?保護功能?：過流（OCP）、過壓（OVP）、欠壓（UVLO）、電荷泵故障（CPUV）及溫度警告/關(guān)斷（OTW/OTS）。

?2. 核心功能?

• ?電流檢測?：通過SOA/SOB/SOC引腳輸出與相位電流成比例的模擬電壓（增益可調(diào)：0.25/0.5/1/2 V/A）。
• ?可編程參數(shù)?：
  • 壓擺率控制（4級，25-200V/μs）優(yōu)化EMI性能。
  • 死區(qū)時間自動插入防止直通。
  • OCP閾值與響應(yīng)模式（鎖存/自動重試）可配置。
• ?工作模式?：支持6x PWM（獨立高低邊控制）、3x PWM（僅高邊控制）及直接PWM模式。

?3. 應(yīng)用場景?

• 汽車：燃油泵、散熱風扇、車窗電機。
• 家電：洗碗機泵、真空機器人、咖啡機。
• 工業(yè)：無人機云臺、服務(wù)器風扇。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝?：36引腳WQFN（5mm×4mm），帶裸露散熱焊盤。
• ?型號差異?：
  • DRV8317S：SPI接口，支持寄存器配置。
  • DRV8317H：硬件引腳配置（MODE/SLEW/GAIN引腳）。

?5. 保護機制?

• ?故障響應(yīng)?：支持鎖存關(guān)閉或自動重試（可調(diào)延遲時間）。
• ?溫度保護?：FET過熱警告（OTW_FET）和關(guān)斷（OTS_FET），LDO過熱關(guān)斷（OTS_LDO）。

?6. 設(shè)計支持?

• ?典型電路?：需外接VM去耦電容（0.1μF+10μF）、電荷泵電容（1μF）及CSA參考電壓濾波電容（0.1μF）。
• ?布局建議?：優(yōu)先縮短高電流路徑，AGND與PGND分區(qū)布局，散熱焊盤需多點接地。