?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：DRV8316C-Q1，AEC-Q100認(rèn)證的汽車級三相無刷電機(jī)驅(qū)動器（BLDC）。
• ?版本?：SLVSH52（2023年2月發(fā)布）。
• ?核心特性?：
  • ?集成三相H橋?：內(nèi)置95mΩ（典型值）MOSFET，支持8A峰值輸出電流。
  • ?寬電壓范圍?：4.5V至35V工作電壓（40V絕對最大值）。
  • ?靈活控制接口?：支持6x/3x PWM控制模式，兼容有感/無感FOC、正弦或梯形控制。
  • ?集成電流檢測?：無需外置檢流電阻，內(nèi)置電流放大器（增益可調(diào)）。
  • ?電源管理?：集成3.3V/5V可調(diào)降壓穩(wěn)壓器（200mA）和3.3V LDO（30mA）。
  • ?保護(hù)功能?：欠壓鎖定（UVLO）、過流保護(hù)（OCP）、過熱警告/關(guān)斷（OTW/OTSD）等。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?導(dǎo)通電阻?：高邊+低邊MOSFET合計(jì)95mΩ（25°C時(shí)）。
• ?電流能力?：8A峰值電流（持續(xù)電流需考慮散熱）。
• ?PWM頻率?：最高200kHz。
• ?睡眠模式?：靜態(tài)電流低至2.5μA（nSLEEP=0時(shí)）。

?3. 功能亮點(diǎn)?

• ?電流檢測與調(diào)節(jié)?：
  • 內(nèi)置三路雙向電流檢測放大器（CSA），支持0.15V/A至1.2V/A增益可調(diào)。
  • 通過VREF引腳設(shè)置參考電壓，SOx引腳輸出比例電流信號。
• ?控制模式?：
  • ?6x PWM模式?：獨(dú)立控制每相高低邊MOSFET。
  • ?3x PWM模式?：簡化控制邏輯，適合傳感器less應(yīng)用。
  • ?電流限制模式?：通過ILIM引腳設(shè)置閾值，支持周期逐限流。
• ? 主動消磁（Active Demagnetization） ?：減少二極管導(dǎo)通損耗，提升效率。

?4. 典型應(yīng)用?

• ?場景?：
  • 汽車LIDAR、小型風(fēng)扇/泵、執(zhí)行器。
  • 驅(qū)動負(fù)載：12V BLDC電機(jī)（功率<40W）、電磁閥、TEC模塊。
• ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：
  • 需外接1μF（CP）、47nF（CPH-CPL）電容，建議低ESR陶瓷電容靠近VM引腳。
  • 布局時(shí)需注意散熱設(shè)計(jì)（VQFN封裝熱阻22.2°C/W）。

?5. 保護(hù)機(jī)制?

• ?電壓保護(hù)?：UVLO（4.3V）、OVP（34V可調(diào)）。
• ?電流保護(hù)?：OCP（16A/24A可選），支持鎖存、自動重試等模式。
• ?溫度保護(hù)?：OTW（145°C預(yù)警）、OTSD（180°C關(guān)斷）。
• ?故障指示?：nFAULT引腳輸出，SPI可讀取詳細(xì)故障狀態(tài)。

?6. 對比硬件與SPI版本?

• ? DRV8316CR-Q1（SPI版） ?：支持5MHz SPI配置寄存器及診斷。
• ? DRV8316CT-Q1（硬件版） ?：通過電阻配置關(guān)鍵參數(shù)（如增益、OCP閾值）。

?7. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?熱管理?：計(jì)算總功耗需考慮導(dǎo)通損耗（P=I2RDS(ON)）和開關(guān)損耗。
• ?布局建議?：VM引腳需就近放置0.1μF陶瓷電容+大容量電解電容，散熱焊盤多過孔接地。

?8. 典型性能曲線?

• 提供導(dǎo)通電阻隨溫度變化、Buck效率與負(fù)載關(guān)系等曲線（見手冊第7.8節(jié)）。

*附件：drv8316c-q1.pdf