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      sic

      sic

      +關(guān)注32人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：3005個(gè) 瀏覽：67662次 帖子：124個(gè)

      sic技術(shù)

      連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

      連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

      連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡(jiǎn)稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國(guó)外機(jī)構(gòu)已具備了...

      2023-05-18 標(biāo)簽：纖維SiC復(fù)合材料 4.6k 0

      SiC-MOSFET的體二極管的特性

      SiC-MOSFET的體二極管的特性

      如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

      2023-02-24 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC 4.6k 0

      SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象

      SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象

      短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。

      2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4.5k 0

      關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)

      富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

      2022-07-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 4.5k 0

      詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)

      　　帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 　　A.Kanale和B.J.Baliga，“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...

      2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFETSiC 4.5k 0

      碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

      2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 4.5k 0

      如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

      如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

      碳化硅 （SiC）是一種越來(lái)越重要的半導(dǎo)體材料：用這種材料制造的電子元件越來(lái)越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫(kù)，這些組件現(xiàn)在在...

      2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 4.5k 0

      從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

      由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

      2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4.5k 0

      SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

      SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們...

      2024-09-10 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4.4k 0

      什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

      SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

      2024-04-18 標(biāo)簽：SiC熱處理碳化硅 4.4k 0

      剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

      剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

      功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫...

      2023-02-06 標(biāo)簽：電路MOSFETSiC 4.4k 0

      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET光伏晶體管 4.4k 0

      AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

      AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

      2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 4.3k 0

      選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

      選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

      Balogh還指出了其他需要考慮的問題，例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn)，這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

      2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 4.3k 0

      為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

      我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

      2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 4.3k 0

      SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

      在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

      2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器IGBTSiC 4.3k 0

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管SiC 4.3k 0

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      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 4.3k 0

      氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

      氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

      2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 4.3k 0

      基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

      基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法

      摘要：隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對(duì)電路中雜散...

      2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET變換器SiC 4.2k 0

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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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