碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體SiC 6k 0

SiC/GaN功率開關完整的系統(tǒng)解決方案

驅動 SiC/GaN 功率開關需要設計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過精密調整，彼此配合。于是這里的設計重點不再只是以開關為中心……

2018-06-22 標簽：功率開關SiCGaN 5.9k 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標簽：半導體功率器件SiC 5.8k 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標簽：MOSFET場效應管SiC 5.8k 0

第三代化合物半導體SiC及GaN市場及應用分析

SiC主要用于實現(xiàn)電動車逆變器等驅動系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于，降低能量損耗、更易實現(xiàn)小型化和更耐高溫。

2019-05-09 標簽：半導體SiCGaN 5.8k 0

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術優(yōu)化

電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法， 使用時使流過負載電流的導線或走線穿過電流互感器， 進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應電流。

2023-10-31 標簽：MOSFET功率器件SiC 5.8k 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設計電力電子設備時，我們需要評估所有業(yè)務需求和技術要求，以優(yōu)化設計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標簽：IGBT功率SiC 5.8k 1

什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主...

2023-04-25 標簽：SiC氮化鎵GaN 5.8k 0

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管IGBTSiC 5.7k 0

半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標簽：SiCGaN碳化硅 5.6k 0

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

作者：Bill Schweber 在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力...

2023-10-03 標簽：電源MOSFET電源設計 5.5k 0

深度解讀第三代半導體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標簽：二極管MOSFET半導體 5.5k 0

如何混合Si和SiC器件實現(xiàn)完整SiC MOSFET轉換器相同效率的調制方案

在現(xiàn)代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...

2021-03-22 標簽：電動汽車MOSFET整流器 5.5k 0