亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

EE techvideo ? 2018-06-05 13:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ADI
    ADI
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    46078

    瀏覽量

    269519
  • 通信技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    1166

    瀏覽量

    94060
  • 控制
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    1030

    瀏覽量

    124980
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3411

    瀏覽量

    67641
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2287

    瀏覽量

    78965
  • 傳感
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    136

    瀏覽量

    31994
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過(guò)材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
    發(fā)表于 10-22 09:09

    STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

    STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroele
    的頭像 發(fā)表于 10-20 13:55 ?152次閱讀
    STMicroelectronics PWD5T60三相<b class='flag-5'>高密度</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>器深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

    高密度配線架和中密度的區(qū)別有哪些

    高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景及管理效率,具體對(duì)比如下: 一、核心區(qū)別:端口密度與空間占用 示例: 高密度
    的頭像 發(fā)表于 10-11 09:56 ?126次閱讀
    <b class='flag-5'>高密度</b>配線架和中<b class='flag-5'>密度</b>的區(qū)別有哪些

    高密度配線架和中密度的區(qū)別

    高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景適配性、成本結(jié)構(gòu)及擴(kuò)展能力等方面,以下為具體分析: 一、端口密度與空間利用率
    的頭像 發(fā)表于 06-13 10:18 ?515次閱讀

    mpo高密度光纖配線架的安裝方法

    MPO高密度光纖配線架的安裝需遵循標(biāo)準(zhǔn)化流程,結(jié)合設(shè)備特性和機(jī)房環(huán)境進(jìn)行操作。以下是分步驟的安裝方法及注意事項(xiàng): 一、安裝前準(zhǔn)備 環(huán)境檢查 確認(rèn)機(jī)房溫度(建議0℃~40℃)、濕度(10%~90
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:22 ?558次閱讀

    光纖高密度odf是怎么樣的

    光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame,光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中,專門設(shè)計(jì)用于高效管理和分配大量光纖線路的設(shè)備。它通過(guò)高密度設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了光纖線路的集中化
    的頭像 發(fā)表于 04-14 11:08 ?792次閱讀

    高密度封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

    高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-05 11:07 ?1048次閱讀
    <b class='flag-5'>高密度</b>封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

    PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設(shè)計(jì)

    此參考設(shè)計(jì)是一款適用于 USB Type-C 應(yīng)用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610集成 GaN 半橋和 UCC24612 同步
    的頭像 發(fā)表于 02-24 16:14 ?684次閱讀
    PMP22244:具有 <b class='flag-5'>GaN</b> 的 60W USB Type-C? <b class='flag-5'>高密度</b>有源鉗位反激式參考設(shè)計(jì)

    高密度400W DC/DC電源模塊,集成平面變壓器和半橋GaN IC

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊,集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-22 15:39 ?12次下載
    <b class='flag-5'>高密度</b>400W DC/DC電源模塊,集成平面變壓器和半橋<b class='flag-5'>GaN</b> IC

    AI革命的高密度電源

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-22 15:03 ?1次下載
    AI革命的<b class='flag-5'>高密度</b>電源

    AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-08 14:26 ?0次下載
    AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、<b class='flag-5'>高密度</b>多相<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換</b>器

    揭秘高密度有機(jī)基板:分類、特性與應(yīng)用全解析

    隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,高密度集成電路(IC)的需求日益增長(zhǎng),而高密度有機(jī)基板作為支撐這些先進(jìn)芯片的關(guān)鍵材料,其重要性也日益凸顯。本文將詳細(xì)介紹高密度有機(jī)基板的分類、特性、應(yīng)用以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 12-18 14:32 ?1490次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>高密度</b>有機(jī)基板:分類、特性與應(yīng)用全解析

    高密度Interposer封裝設(shè)計(jì)的SI分析

    集成在一個(gè)接口層(interposer)上,用高密度、薄互連連接,這種高密度的信號(hào),再加上硅interposer設(shè)計(jì),需要仔細(xì)的設(shè)計(jì)和徹底的時(shí)序分析。 對(duì)于需要在處理器和大容量存儲(chǔ)器單元之間進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)母叨藘?nèi)存密集型應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),走線寬度和長(zhǎng)度是一個(gè)主要挑戰(zhàn)。HBM
    的頭像 發(fā)表于 12-10 10:38 ?2080次閱讀
    <b class='flag-5'>高密度</b>Interposer封裝設(shè)計(jì)的SI分析

    使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3626EVM-074 USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-09 14:46 ?0次下載
    使用LMG3626EVM-074 USB-C PD<b class='flag-5'>高密度</b>準(zhǔn)諧振反激式<b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換</b>器

    什么是高密度DDR芯片

    的數(shù)據(jù),并且支持在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速率的倍增。高密度DDR芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),采用了先進(jìn)的納 米級(jí)制程技術(shù)和多層布線技術(shù)。芯片內(nèi)部集成了大量的存儲(chǔ)單元、控制邏輯、I/O接口和時(shí)鐘電路等,能夠?qū)崿F(xiàn)高速、高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和訪問(wèn)。
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:05 ?1488次閱讀