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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.3k 0

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標(biāo)簽：熱阻功率器件 SiC 1.3k 0

使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車載充電器性能

在電動(dòng)汽車中，功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率，交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行，因?yàn)樵谳^高頻率下...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 車載充電器 1.3k 0

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率

工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?；趶?qiáng)大的電動(dòng)機(jī)，用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī)，由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.3k 0

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 1.2k 0

現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電需要氮化鎵

無線電技術(shù)不斷發(fā)展，以應(yīng)對(duì)通信挑戰(zhàn)。例如，UHF信號(hào)作現(xiàn)場(chǎng)的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減。現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電通過使用多進(jìn)多出（MIMO）方法克服了這一挑戰(zhàn)...

2023-05-20 標(biāo)簽：MIMO 無線電 SiC 1.2k 0

碳化硅器件封裝中的3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb 功率器件 SiC 1.2k 0

電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 1.2k 0

方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用

隨著全球能源需求不斷上升，我國(guó)“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展，近年來光伏儲(chǔ)能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...

2025-06-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC PCS 1.2k 0

DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問題

DOH：DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽...

2024-12-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 新材料 1.2k 0

SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停

ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC　SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小...

2023-02-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1.2k 0

SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.2k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度（2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.2k 0

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

　　碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料，近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...

2024-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.2k 0

SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

碳化硅（SiC） MOSFET的雙極性退化（Bipolar Degradation）是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題，尤其在儲(chǔ)能變流器（PCS）等高...

2025-03-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 變流器 1.2k 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路 1.2k 0

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何

SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.2k 0

最小化SEPIC轉(zhuǎn)換器的輻射

每個(gè)用于電壓轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式穩(wěn)壓器都會(huì)產(chǎn)生干擾。它們?cè)陔妷恨D(zhuǎn)換器的輸入側(cè)和輸出側(cè)部分是線路綁定的，但部分它們也會(huì)輻射。這些干擾主要是由快速切換邊沿引起的。...

2022-12-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器 SiC 1.2k 0

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1.2k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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