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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路,LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻,HS和L...
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性,在多個大功...
當(dāng)然,(近乎)完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時間了,但我們在這里不是在談?wù)摍C械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān),當(dāng)打開時沒有電阻,關(guān)閉時...
本文我們將重點介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。
SiC(碳化硅)功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性,能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽車、光伏發(fā)...
熱設(shè)計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用,以便設(shè)計高功率密度,從而設(shè)計緊湊的系統(tǒng)。
首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上,碳化...
2023-05-20 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器SiC 1.4k 0
如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢
雙碳目標(biāo)正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關(guān)鍵...
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...
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