為了匹配CREE SiC MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:00
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。與客戶的看法形成鮮明對(duì)比的是，這些故障通常不是SiC MOSFET技術(shù)的固有弱點(diǎn)，而是圍繞柵極環(huán)路的設(shè)計(jì)選擇。特別是，對(duì)高端設(shè)備和低端設(shè)備之間的導(dǎo)通交互作用缺乏關(guān)注會(huì)導(dǎo)致因錯(cuò)誤的電路選擇而引發(fā)的災(zāi)難性故障。在本文中，我們表明，在柵極電路環(huán)路中使用柵極源電容器進(jìn)行經(jīng)典的阻尼工作
2021-03-11 11:38:032729 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過(guò)的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過(guò)
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
，即非本征缺陷時(shí)才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風(fēng)險(xiǎn)與沒(méi)有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無(wú)缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
專門(mén)的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場(chǎng)分布，但通過(guò)結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強(qiáng)浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽?，它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過(guò)
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長(zhǎng)
2022-03-24 18:03:24
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢(shì).更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無(wú)源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開(kāi)關(guān)的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
的產(chǎn)生機(jī)理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個(gè)極間均存在結(jié)電容，柵極輸入端相當(dāng)于一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動(dòng)電路存在著分布電感和驅(qū)動(dòng)電阻，此時(shí)的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開(kāi)通過(guò)程為例，當(dāng)下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導(dǎo)通時(shí)的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
，降低了88%。還有重要的一點(diǎn)是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動(dòng)需要適當(dāng)調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過(guò)。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過(guò)它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過(guò)開(kāi)關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
。碳化硅有優(yōu)點(diǎn)相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭(zhēng)之地。應(yīng)用場(chǎng)景;評(píng)估板采用常見(jiàn)的半橋電路配置，并配有驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電源、過(guò)電流保護(hù)電路及柵極信號(hào)保護(hù)電路等評(píng)估板的主要特點(diǎn)如下：? 可評(píng)估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來(lái)講，最重要的參數(shù)是門(mén)極電荷
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
MOSFET柵極為低電平時(shí)，其漏極電壓上升直至使SiC JFET的GS電壓達(dá)到其關(guān)斷的負(fù)壓時(shí)，這時(shí)器件關(guān)斷。Cascode結(jié)構(gòu)主要的優(yōu)點(diǎn)是相同的導(dǎo)通電阻有更小的芯片面積，由于柵極開(kāi)關(guān)由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動(dòng)電路調(diào)整等 設(shè)計(jì)和評(píng)估工時(shí) 。 內(nèi)置各種保護(hù)功能 ，基本上只需根據(jù)要設(shè)計(jì)的電源規(guī)格設(shè)置外置元器件的常數(shù)即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見(jiàn)圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
; } ＜BD7682FJ-LB＞準(zhǔn)諧振方式（低EMI）SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)柵極箝位電路工作電源電壓范圍(VCC)：15.0V～27.5V輕負(fù)載時(shí)突發(fā)脈沖工作、降頻功能工作電流：0.80mA(typ.)、突發(fā)時(shí) 0.50mA
2018-12-04 10:11:25
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
柵極電壓變?yōu)楸?VCC 更正或比 VEE 更負(fù)的情況下保護(hù) IGBT 柵極免受過(guò)壓的影響。二極管D3可防止柵極驅(qū)動(dòng)器OUTP輸出在電流低于VCC時(shí)將電流排放到集電極中。這種技術(shù)很少用于MOSFET
2023-02-27 09:52:17
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的一個(gè)潛在問(wèn)題是，僅有一個(gè)隔離輸入通道，而且依賴高壓驅(qū)動(dòng)器來(lái)提供通道間所需的時(shí)序匹配以及應(yīng)用所需的死區(qū)。另一問(wèn)題是，高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無(wú)電流隔離，而是依賴結(jié)隔離來(lái)分離同一IC中的上橋臂驅(qū)動(dòng)電壓和下橋臂驅(qū)動(dòng)
2018-10-16 16:00:23
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時(shí)導(dǎo)通?！ ‘?dāng)以0V關(guān)閉SiC MOSFET時(shí)，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時(shí)，這種影響可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的不同之處。主要的不同點(diǎn)是SiC-MOSFET在驅(qū)動(dòng)時(shí)的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計(jì)的范疇。但是，柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-27 16:54:24
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
Analysis of a Self Turn-on Phenomenon on the Synchronous Rectifier in a DC-DC Converter:In the buck
2009-11-26 11:21:42
9 /5 controller IC. Due to the turn-off nature of the diode, turn-on switching loss of the main switch (Q1) depends on the switching frequency, th
2009-04-29 11:41:241721 
和開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝的串?dāng)_問(wèn)題分別進(jìn)行分析，柵漏極結(jié)電容的充放電電流和共源寄生電感電壓均會(huì)引起處于關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)關(guān)管的柵源極電壓變化。提出一種用于抑制串?dāng)_問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路具有柵極關(guān)斷阻抗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于控制的特點(diǎn)。分析該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，提供主
2018-01-10 15:41:223 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更差。這是由于在SiC 的 Si 終止面上生長(zhǎng)
2022-08-04 09:23:041129 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23291 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:58737 
驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開(kāi)啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過(guò)負(fù)向安全電壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問(wèn)題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) S
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731 
板布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:02814 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14644 在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 09:52:33462 
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02378 
則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動(dòng) 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:01361 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:38185 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有一些基本要求，接下來(lái)將詳細(xì)介紹這些要求。 首先，SIC MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的電壓要求非常嚴(yán)格。由于SIC MOSFET的工作電壓通常在幾百伏特到數(shù)千伏特之間，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能提供足夠高的電壓以確保正常工作。此外，由于SIC MOSFET具有較高的耐壓能力
2023-12-21 11:15:49417
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