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      標(biāo)簽　>　LMG5200

      LMG5200

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      LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案，該器件配有用戶(hù)友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

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      LMG5200簡(jiǎn)介

      　　LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案，該器件配有用戶(hù)友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

      　　GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著，能夠承受高達(dá) 12V 的輸入電壓，與 TPS53632G 控制器搭配使用時(shí)，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓 （0.5-1.5V）。

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      lmg5200技術(shù)

      LMG5200開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)

      當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

      2018-04-26 標(biāo)簽：示波器GaNLMG5200 5.7k 0

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      lmg5200資料下載

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      lmg5200資訊

      準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

      準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

      當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

      2017-04-18 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵lmg5200 3.8k 0

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

      該參考設(shè)計(jì)采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級(jí)硬開(kāi)關(guān)半橋，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比，同時(shí)提供可觀的輸...

      2022-04-26 標(biāo)簽：電源GaN參考設(shè)計(jì) 3.2k 0

      技術(shù)前沿：TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

      相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 （GaN） 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料...

      2015-04-02 標(biāo)簽：TIGaN技術(shù)LMG5200 1.1k 0

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      lmg5200數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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