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LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,采用增強模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動器提供驅(qū)動。

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