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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計的朋友,經(jīng)常會遇到一個選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個?這兩個器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.8k 0
短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效的模式主要為...
浮思特 | 光伏逆變器中的IGBT解決方案 —— Trinno(特瑞諾)產(chǎn)品應(yīng)用
在“雙碳”目標(biāo)和能源轉(zhuǎn)型的推動下,光伏發(fā)電已成為綠色能源發(fā)展的重要支柱。作為光伏系統(tǒng)的核心設(shè)備,光伏逆變器不僅負(fù)責(zé)將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為符合電...
如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
IGBT模塊的開關(guān)損耗(動態(tài)損耗)與導(dǎo)通損耗(靜態(tài)損耗)的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系:降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載...
2025-08-19 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.9k 0
德州儀器UCC14241-Q1汽車級隔離式DC/DC模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC14241-Q1汽車隔離式DC/DC模塊專為向IGBT或SiC柵極驅(qū)動器供電而設(shè)計。UCC14241-Q1將變...
德州儀器UCC21717-Q1隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高達(dá)1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級集...
浮思特 | IGBT與單片機(jī)在家電微波爐中的應(yīng)用與解決方案
微波爐已經(jīng)從傳統(tǒng)的機(jī)械控制發(fā)展到智能化、高效化的電子控制系統(tǒng)。要實現(xiàn)加熱效率高、能耗低、壽命長且安全性高的設(shè)計,核心元器件的選擇至關(guān)重要。本文將介紹TR...
IGBT柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
2025-08-12 標(biāo)簽:驅(qū)動器電子系統(tǒng)IGBT 1.7k 0
上海貝嶺650V80A IGBT在光伏逆變器上的應(yīng)用
當(dāng)今世界的主要能源來源還是化石能源,而化石能源在使用后會排出大量的污染物,嚴(yán)重影響到人類的健康問題。太陽能因其取之不盡用之不竭且無環(huán)境污染等優(yōu)點,已經(jīng)成...
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC44273單通道柵極驅(qū)動器是一款高速低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動MOSFET和IGBT功率開關(guān)。該驅(qū)動器在12V...
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實踐筆記 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機(jī)驅(qū)動和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時,還要同時具備一定的抗短路能力。短路時,如...
2025-08-07 標(biāo)簽:IGBT晶體管開關(guān)損耗 3.2k 0
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動器是一款高度可配置的隔離式柵極驅(qū)動器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動汽車和...
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動產(chǎn)品線。 2153X浮動通道可用于驅(qū)動高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600...
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場,迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了集...
浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機(jī)制與防護(hù)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作...
2025-07-15 標(biāo)簽:電壓IGBT開關(guān)器件 2.2k 0
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