在做電力電子設計的朋友，經(jīng)常會遇到一個選擇題：IGBT 和 MOSFET，到底該用哪個?

這兩個器件都是“功率半導體”的代表選手，常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動汽車、電源模塊等場景。但它們各自的“性格”不一樣，理解清楚才能用得順手。今天就帶大家來拆解一下。

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MOSFET 是誰?IGBT 又是啥?

MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)

本質(zhì)是“電壓驅動、導通靠電子流動”。優(yōu)點是開關速度快、驅動功耗低、導通電阻小。像 PowerMaster 的系列 MOSFET，就專門針對低壓高速場景做了優(yōu)化，在高頻開關電源里效率表現(xiàn)很亮眼。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

可以理解為“MOSFET 的輸入端 + BJT 的輸出端”。它有 MOSFET 的驅動優(yōu)勢，又有 BJT 承受大電流的能力。Trinno 的 IGBT 在中高壓電機驅動和光伏逆變器里應用廣泛，耐壓高，可靠性強。

一句話總結：MOSFET 更像短跑健將，IGBT 更像大力士。

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核心區(qū)別：導通損耗 vs. 開關速度

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應用場景怎么選?

低壓高速場合(<600V)比如：開關電源、DC-DC 模塊、服務器電源、快充適配器 ——

MOSFET 更合適。這里像 PowerMaster 的低導通電阻 MOSFET，就常被用在高效率 DC-DC 電路里。

(在高頻下依然保持較高效率，適合快充電源、服務器電源等場景)

中高壓大功率場合(600V 以上)比如：光伏逆變器、電動車電機驅動、軌道交通、工業(yè)變頻器 ——

IGBT 更常見。Trinno 的 IGBT 模塊在這些大功率系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定，工程師評價普遍是“耐壓可靠，不怕硬仗”。

值得注意的是，SiC(碳化硅)MOSFET 正在崛起，能同時兼顧高壓和高速，逐漸在高端市場挑戰(zhàn) IGBT 的地位。

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工程師的小建議

如果你做的是幾百瓦級別、低電壓、追求高頻效率，像 PowerMaster 的 MOSFET 產(chǎn)品就很值得關注。

如果你做的是幾千瓦甚至兆瓦級別、大電流、高壓場景，Trinno 的 IGBT 模塊會讓你省心不少。

當然，如果預算夠，也可以嘗試 SiC MOSFET —— 不過要注意成本。

MOSFET 和 IGBT 并不是“誰好誰壞”的關系，而是不同應用的最佳拍檔：

MOSFET：快、靈活，適合中低壓場景。

IGBT：穩(wěn)、能扛，適合高壓大功率。

選型時可以參考一句老話：用 MOSFET 做快的，用 IGBT 扛大的。

而在具體產(chǎn)品選擇上，PowerMaster 的 MOSFET 和 Trinno 的 IGBT，都是工程師常用的可靠選擇。