上海貝嶺IGBT單管BLG80T65FDH7，額定電流80A，耐壓650V，對目前主流戶用光伏逆變器拓?fù)銱eric等都有很好的匹配， 同時(shí)也適用于三相NPC1和NPC2(橫管)的應(yīng)用。

表1 主流光伏逆變拓?fù)?/p>

BLG80T65FDH7 產(chǎn)品特點(diǎn)

上海貝嶺BLG80T65FDH7采用新一代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，通過微溝槽結(jié)構(gòu)增加載流子注入效率，優(yōu)化導(dǎo)通壓降；場截止層加速關(guān)斷時(shí)的載流子抽取，降低開關(guān)損耗；多層場截止結(jié)構(gòu)提高高溫穩(wěn)定性；同時(shí)內(nèi)部采用超快速軟恢復(fù)二極管進(jìn)行反并聯(lián)。技術(shù)特性精準(zhǔn)匹配光伏逆變器對高效、高頻、高可靠性的需求。

性能特點(diǎn)：

優(yōu)化開通損耗和關(guān)斷損耗，開關(guān)頻率高

低導(dǎo)通壓降Vce(sat)，減小器件的導(dǎo)通損耗

Vce(sat)正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用

高BVces耐壓能力

低VF和快軟恢復(fù)二極管

HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證，保證極端運(yùn)行環(huán)境下使用壽命

符合175℃結(jié)溫的工業(yè)級和車規(guī)級考核標(biāo)準(zhǔn)

BLG80T65FDH7 產(chǎn)品核心優(yōu)勢

4.1 效率優(yōu)勢——低飽和壓降Vce(sat)

光伏應(yīng)用中IGBT的導(dǎo)通損耗占總損耗比例較大，影響導(dǎo)通損耗的主要參數(shù)為VCE(sat)，常溫25℃和高溫175℃下貝嶺BLG80T65FDH7導(dǎo)通壓降達(dá)到國際大廠水平，且比競品略低。且隨著結(jié)溫上升，VCE(sat)正溫度系數(shù)，有利于解決并聯(lián)應(yīng)用中的均流和熱平衡問題。

圖4.1 VGE=15V 飽和壓降對比

4.2 動(dòng)態(tài)性能升級——低開關(guān)損耗

在光伏逆變應(yīng)用中，單管IGBT一般設(shè)計(jì)工作在20kHz左右，并且有高頻化的趨勢，因此降低IGBT開關(guān)損耗也尤為重要，上海貝嶺BLG80T65FDH7降低導(dǎo)通壓降，同時(shí)優(yōu)化了開關(guān)損耗，如圖4.2所示， BLG80T65FDH7開啟損耗和競品相差不大，關(guān)斷損耗比競品略低，總開關(guān)損耗略小于競品，性能達(dá)到國際大廠 S5系列水平。

圖4.2 IGBT開關(guān)損耗對比

4.3 IGBT合封二極管——較低VF 和Qrr

BLG80T65FDH7合封較低VF的二極管，有利于降低二極管續(xù)流過程的導(dǎo)通損耗。如表2所示，貝嶺IGBT合封二極管VF和競品相差不大。

表2 IGBT合封二極管壓降對比

相同測試條件下，BLG80T65FDH7合封二極管 Qrr比競品更小，在高頻應(yīng)用中損耗更小，更有優(yōu)勢。

圖4.3 IGBT合封二極管Qrr對比

4.4 溫升表現(xiàn)良好——板級溫升測試

上海貝嶺BLG80T65FDH7基于優(yōu)異的器件設(shè)計(jì)，各項(xiàng)參數(shù)和功率器件國際大廠I公司接近，部分參數(shù)更優(yōu)，為光伏應(yīng)用通過系統(tǒng)測試提供了保障。如圖4.4，在常溫環(huán)境下，上海貝嶺BLG80T65FDH7和I公司產(chǎn)品在10kW光伏逆變平臺(tái)測試，殼溫基本一致，產(chǎn)品性能滿足客戶的需求。

圖4.4 IGBT殼溫對比

上海貝嶺功率器件選型方案

上海貝嶺功率器件產(chǎn)品系列齊全，包括MOSFET、IGBT等產(chǎn)品，滿足客戶各類光伏逆變器設(shè)計(jì)需求，具體型號參考表3：

表3 功率器件選型表

上海貝嶺IC器件選型方案

上海貝嶺在光伏逆變器領(lǐng)域產(chǎn)品配套齊全，除功率器件以外，還可以提供各類電源管理IC和信號鏈IC供客戶選擇，具體型號參考表4：

表 4 IC器件選型表