功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控

國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)不可擋

在地緣政治的影響下，供應(yīng)鏈自主可控已成為長(zhǎng)期議題，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體替代、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定，已成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界的共識(shí)與迫切需求。

作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，芯導(dǎo)科技（688230.SH）憑借完善的產(chǎn)品線布局和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，正為全球客戶提供功率半導(dǎo)體的可靠替代方案，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的國(guó)產(chǎn)化支撐能力！

產(chǎn)品線全面覆蓋

國(guó)產(chǎn)替代能力突出

1防護(hù)器件

芯導(dǎo)科技靜電、浪涌防護(hù)產(chǎn)品，主要應(yīng)用于高速信號(hào)線、數(shù)據(jù)線、Vbus、Vbat以及各種接口的保護(hù)應(yīng)用。工作電壓涵蓋1V~440V，采用單路、多路、單向、雙向等多種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。產(chǎn)品陣容齊整，性能突出，性價(jià)比高，可滿足各類應(yīng)用的設(shè)計(jì)需求。

2MOSFET

芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品，包括12~200V中低壓產(chǎn)品，以及500~700V高壓MOS產(chǎn)品，采用平面、溝槽、屏蔽柵、超結(jié)等工藝技術(shù)，產(chǎn)品參數(shù)齊全，性能優(yōu)異，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、智能穿戴、電機(jī)、電源、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏儲(chǔ)能等眾多領(lǐng)域。

3GaN HEMT

采用P-GaN技術(shù)開發(fā)的GaN HEMT系列產(chǎn)品具有Qg小、開關(guān)速度快等特點(diǎn)；雙向GaN技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)1顆GaN替代兩顆Si MOS，節(jié)省占板面積50%；Cascode系列產(chǎn)品具有高閾值電壓高可靠性的特點(diǎn)，兼容12V硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，更容易實(shí)現(xiàn)替代方案。

4SiC MOS&SiC SBD

采用第三代平面技術(shù)開發(fā)的SiC MOSFET系列產(chǎn)品，具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度和更好的導(dǎo)熱性能，適用于更高溫、高壓的工作環(huán)境。

采用第三代MPS(Merged PiN Schottky Diode)技術(shù)開發(fā)的SiC SBD系列產(chǎn)品，具有Vf較低，開通損耗低，浪涌能力高，反向恢復(fù)時(shí)間快等特點(diǎn)，適用于高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中。

5整流器件及小信號(hào)器件

芯導(dǎo)科技能夠提供20V-200V肖特基二極管SBD、50V-1000V快恢復(fù)二極管FRD、50V-1000V整流橋Bridge、50-1000V整流二極管 Rectifier Diode、三極管Transistor、數(shù)字三極管 Digital Transistor 等產(chǎn)品，滿足客戶電路設(shè)計(jì)需求。廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、泛工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

6功率IC

芯導(dǎo)科技IC產(chǎn)品經(jīng)過多年發(fā)展，形成了以電源管理芯片產(chǎn)品工藝為基礎(chǔ)的技術(shù)平臺(tái)，涵蓋鋰電池充電芯片（開關(guān)充電 芯片、線性充電芯片）、鋰電池保護(hù)芯片、OVP過壓保護(hù)芯片、負(fù)載開關(guān)、音頻功率放大器、DC/DC電源芯片等多種類型的成熟量產(chǎn)產(chǎn)品系列，緊密貼合客戶需要，持續(xù)更新技術(shù)、迭代產(chǎn)品。

立足車規(guī)，自主可控

通過積極的產(chǎn)業(yè)整合，芯導(dǎo)科技構(gòu)建了安全、穩(wěn)定的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品供應(yīng)鏈體系，全面強(qiáng)化質(zhì)量管理，旨在為客戶提供高性能、高可靠性的“一站式”國(guó)產(chǎn)化替代選擇，助力客戶提升供應(yīng)鏈韌性。

工藝布局優(yōu)勢(shì)

源于三大核心能力

卓越的技術(shù)廣度：

橫跨微米（0.6μm, 0.35μm）到納米（90nm, 55nm）的多元制程節(jié)點(diǎn)，并掌握CMOS、BCD、MOSFET、IGBT、TVS乃至第三代半導(dǎo)體（GaN, SiC）等核心技術(shù)，滿足從基礎(chǔ)到尖端的全方位需求。

全產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略協(xié)同：

芯導(dǎo)科技與國(guó)內(nèi)知名Fab廠、封測(cè)廠商深度綁定，確保從晶圓制造到封裝測(cè)試（如WLCSP、Flip-Chip、FOPLP、DFN/QFN）的每一環(huán)都具備領(lǐng)先的工藝制程與穩(wěn)定的產(chǎn)能支持；滿足消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車級(jí)各類客戶的應(yīng)用需求。

領(lǐng)先的規(guī)?；圃欤?/p>

依托成熟的6吋、8吋及12吋晶圓制造平臺(tái)，我們具備強(qiáng)大的規(guī)?；慨a(chǎn)能力，能夠?yàn)榭蛻籼峁┘婢咝阅?、成本與交付優(yōu)勢(shì)的最佳解決方案。

積極響應(yīng)國(guó)家戰(zhàn)略

助力產(chǎn)業(yè)鏈安全可控

在當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速調(diào)整的背景下，芯導(dǎo)科技積極響應(yīng)國(guó)家關(guān)于科技自立自強(qiáng)、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的號(hào)召，持續(xù)加大研發(fā)投入，擴(kuò)充產(chǎn)能，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。公司致力于為國(guó)內(nèi)客戶提供高性能、高可靠性的半導(dǎo)體產(chǎn)品，助力降低對(duì)國(guó)外供應(yīng)商的依賴，增強(qiáng)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中的話語權(quán)。

企業(yè)介紹

芯導(dǎo)科技(Prisemi)專注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，總部位于上海市張江科學(xué)城。

公司于2009年成立，至今已獲國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)、“上市公司金牛獎(jiǎng)”、“上市公司金質(zhì)量獎(jiǎng)”、“功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)”、“上海市規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)集成電路企業(yè)”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“上海市科技小巨人企業(yè)”等榮譽(yù)資質(zhì)，并已擁有百余項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司已在上海證券交易所科創(chuàng)板上市，股票簡(jiǎn)稱"芯導(dǎo)科技"，股票代碼為688230.SH。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC（鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等）的開發(fā)及應(yīng)用。公司在深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí)，積極拓展海外市場(chǎng)，目前產(chǎn)品已遠(yuǎn)銷歐美日韓及東南亞等國(guó)家與地區(qū)，可應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、電源、儲(chǔ)能、汽車電子、光伏逆變器等領(lǐng)域。