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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...
納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)全新電動汽車設(shè)計中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-05-09 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.1k 0
納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展
眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認證計算機和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，...
2025-04-16 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 1k 0
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開關(guān)速度、更小的尺寸...
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCV...
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：18...
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1k 0
飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動...
2022-07-29 標(biāo)簽：適配器氮化鎵Transphorm 1k 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報告
今年2月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出，每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放，GaN有望節(jié)省高達 2...
德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列
采用熱增強封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開關(guān)損耗降低 50%。
2024-03-06 標(biāo)簽：變壓器德州儀器功率轉(zhuǎn)換器 1k 0
淺談光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合
氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘栟D(zhuǎn)換成光信號并實現(xiàn)電氣...
臺亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會，會議通過了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計劃。這是繼兩年前臺亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后，再次...
雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮...
2024-05-23 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1k 0
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來越多客戶的認可。針對國內(nèi)市場的特點，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化...
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