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標簽 > 半橋
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SH63N65DM6AG功率MOSFET技術(shù)解析:半橋拓撲的高效解決方案
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級N通道MDmesh DM6半橋拓撲功率MOSFET,提供650...
?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術(shù)解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG34...
2025-09-26 標簽:半橋GaN同步降壓轉(zhuǎn)換器 264 0
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器深度解析與設計指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
DRV8770:100V高可靠性有刷直流電機柵極驅(qū)動器,為電動工具與機器人應用提供高效解決方案
Texas Instruments DRV8770 100V有刷直流柵極驅(qū)動器搭載有兩個半橋柵極驅(qū)動器,每個都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。...
2025-09-28 標簽:半橋柵極驅(qū)動器有刷直流電機驅(qū)動 204 0
?STDRIVEG611柵極驅(qū)動器評估板技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611柵極驅(qū)動器評估板采用STDRIVEG611高速半橋柵極驅(qū)動器,優(yōu)化用于驅(qū)動高壓增強型模...
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動器技術(shù)解析
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動器可控制多達16個N溝道MOSFET,用于直流電機控制應用,例如汽車電動座...
STDRIVEG60015演示板技術(shù)解析:650V E模式GaN半橋驅(qū)動設計指南
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG600經(jīng)...
L99H92:面向汽車電機控制的高集成度半橋前置驅(qū)動器
STMicroelectronics L99H92汽車半橋前置驅(qū)動器以單H橋或雙獨立半橋配置驅(qū)動四個外部N溝道MOSFET晶體管,用于汽車應用中的DC電...
?STDRIVEG610半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STDRIVEG610半橋柵極驅(qū)動器是高性能設備,專為在各種電源轉(zhuǎn)換應用中驅(qū)動N溝道MOSFET或IGBT設計。...
?STGAP3SXS隔離驅(qū)動評估板技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics EVLSTGAP3SXS-H半橋評估板設計用于評估STGAP3SXS隔離式單柵極驅(qū)動器。STGAP3SXS具有10...
STGAP2SICSAC隔離門極驅(qū)動評估板技術(shù)解析
STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC演示板設計用于評估STGAP2SICSAC隔離式單通道柵極驅(qū)動器,驅(qū)動電壓高達520V...
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