STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611柵極驅(qū)動器評估板采用STDRIVEG611高速半橋柵極驅(qū)動器，優(yōu)化用于驅(qū)動高壓增強型模式GaN HEMT。它完全支持硬開關(guān)拓撲，采用4x5mm QFN封裝，具有獨立的大電流灌/拉柵極驅(qū)動引腳、集成LDO、欠壓、自舉二極管、智能關(guān)斷過流保護、過熱、故障和關(guān)斷引腳以及待機等特性。

數(shù)據(jù)手冊；*附件：STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611柵極驅(qū)動器評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

EVLSTDRIVEG611板簡單易用，可快速適應(yīng)，用于評估STDRIVEG611的特性，驅(qū)動采用5mm x 6mm QFN封裝的SGT120R65AL 75mΩ（典型值）、650V EMode GaN開關(guān)。它設(shè)有板載可編程死區(qū)時間發(fā)生器和3.3V線性穩(wěn)壓器，為微控制器等外部邏輯供電。還包括備用占位面積，例如單獨的LIN和HIN輸入信號或單個PWM信號，從而為最終應(yīng)用定制電路板。

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611是一款56mm x 70mm寬的雙層、2oz、FR-4 PCB，在靜止空氣中實現(xiàn)23°C/W R th(J?A) （每個GaN相當于46°C/W），非常適合用于評估大功率應(yīng)用。

特性

• 半橋拓撲結(jié)構(gòu)采用STDRIVEG611 GaN柵極驅(qū)動器，集成了LDO、獨立的灌/拉電流、過流保護、集成式自舉二極管、待機
• 配備75mΩ（典型值），650V e模式HEMT GaN
• 可調(diào)諧硬導通和硬關(guān)斷dV/dt，設(shè)置為10V/ns（典型值），用于電機控制應(yīng)用
• VCC 電源電壓：10.6V至18V（12V典型值）
• 板載可調(diào)死區(qū)時間發(fā)生器，用于在具有死區(qū)時間的獨立高側(cè)和低側(cè)輸入中轉(zhuǎn)換單個PWM信號
• 可選的獨立輸入，具有外部死區(qū)時間
• 可編程過流保護，智能關(guān)斷設(shè)置為9.5A
• 用于可選的額外高壓大容量電容器和自舉二極管的占位
• 板載3.3V穩(wěn)壓器，用于外部電路電源
• 符合RoHS標準

電源和信號連接

STDRIVEG611柵極驅(qū)動器評估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心特性與設(shè)計亮點?

STMicroelectronics推出的STDRIVEG611是一款專為GaN功率開關(guān)優(yōu)化的高壓高速半橋柵極驅(qū)動器，具有以下關(guān)鍵特性：

1. ?高壓兼容性?
   • 支持600V高壓軌，dV/dt瞬態(tài)抗擾度達±200V/ns（全溫度范圍）。
   • 高低側(cè)獨立驅(qū)動路徑：源極電流1.0A（3.7Ω阻抗），漏極電流2.4A（1.2Ω阻抗）。
2. ?高速響應(yīng)?
   • 傳播延遲45ns（匹配精度10ns），最小輸出脈沖15ns，支持高頻操作（>1MHz）。
3. ?集成保護功能?
   • 智能關(guān)斷（SmartSD）過流檢測、UVLO（欠壓鎖定）、過熱保護及故障信號引腳（FLT）。
4. ?緊湊封裝?
   • QFN 4×5×1 mm封裝，0.5mm引腳間距，適合高密度PCB布局。

?二、典型應(yīng)用場景?

1. ?電機驅(qū)動?
   • 家電（如壓縮機、泵）、工業(yè)伺服驅(qū)動、電動工具。
2. ?功率轉(zhuǎn)換?
   • DC/DC諧振轉(zhuǎn)換器、PFC電路、電池充電器及適配器。
3. ?高頻應(yīng)用?
   • Class D音頻放大器、高頻開關(guān)電源（>1MHz）。

?三、關(guān)鍵電路設(shè)計要點?

?1. 柵極驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)設(shè)計?

• ?驅(qū)動電阻配置?
  • 通過外部電阻（RONH/RONL）調(diào)節(jié)導通阻抗，優(yōu)化開關(guān)速度與EMI平衡。
  • 典型值：RGATE（關(guān)斷電阻）1-5Ω，RON（導通電阻）5-300Ω。
• ?慢速關(guān)斷dV/dt控制?
  • 電機控制中需抑制關(guān)斷dV/dt，可通過并聯(lián)CGM電容（3-5倍QGS/VGSth）避免誤觸發(fā)。

?2. 電源與自舉電路?

• ?VCC與BOOT設(shè)計?
  • VCC需配置低ESR陶瓷電容（100nF）和電解電容（≥2.2μF）。
  • 內(nèi)置自舉二極管（RDBOOT≈120Ω），推薦CBOOT電容47nF-3.3μF（50V X7R）。

?3. 保護機制實現(xiàn)?

• ? 過流保護（SmartSD） ?
  • CIN引腳連接電流檢測電阻，觸發(fā)后強制關(guān)閉驅(qū)動并拉低FLT引腳。
  • 禁用時間由外部COD電容和上拉電阻決定（公式：t_disable ≈ ROD_ext·COD·ln(VCC/VSSD)）。

?四、PCB布局建議?

1. ?高頻路徑優(yōu)化?
   • 柵極環(huán)路（OUTx→RGATE→GaN柵極→PGND）需最短化，優(yōu)先使用0603封裝電阻。
2. ?電源去耦?
   • VCCL/VCCH電容（47nF-470nF X7R）緊貼引腳布局，降低寄生電感。
3. ?噪聲抑制?
   • 信號地（GND）與功率地（PGND）單點星型連接，分流電阻采用多并聯(lián)小封裝降低ESL。

?五、評估板性能驗證?

• ?熱管理測試?
  • 4層FR4板條件下熱阻Rth(J-A)=85°C/W，需確保結(jié)溫≤125°C（通過銅箔散熱增強）。
• ?開關(guān)特性測試?
  • 實測傳播延遲45ns（匹配誤差<10ns），符合高頻應(yīng)用需求。