刻蝕工藝

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刻蝕工藝技術(shù)

深反應(yīng)離子刻蝕工藝，是實(shí)現(xiàn)高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術(shù)的基石。這項(xiàng)刻蝕技術(shù)在眾多領(lǐng)域均得到了應(yīng)用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設(shè)...

2020-10-09 標(biāo)簽：刻蝕工藝 1.6萬(wàn) 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.5萬(wàn) 0

晶圓級(jí)封裝工藝：濺射工藝和電鍍工藝

濺射是一種在晶圓表面形成金屬薄膜的物理氣相沉積(PVD)6工藝。如果晶圓上形成的金屬薄膜低于倒片封裝中的凸點(diǎn)，則被稱為凸點(diǎn)下金屬層(UBM，Under ...

2023-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝工藝 1.3萬(wàn) 0

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.2萬(wàn) 0

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過(guò)加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)刻蝕工藝 1.2萬(wàn) 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 8.1k 0

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...

2023-04-03 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET sram 6.7k 0

半導(dǎo)體制造工藝最強(qiáng)科普

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒(méi)有明確的答案，但與其說(shuō)加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。

2023-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 5.6k 0

玻璃通孔工藝(TGV)簡(jiǎn)介

硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù)，近年來(lái)得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個(gè)的主要問(wèn)題。

2023-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式濾波器 5.5k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 5k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素...

2023-04-07 標(biāo)簽：集成電路晶體管 IC芯片 4.9k 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 4.5k 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。

2023-04-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC設(shè)計(jì)刻蝕工藝 4.3k 0

詳解半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過(guò)程中也會(huì)通過(guò)控制溫度、壓力等不同條件來(lái)把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會(huì)放慢，但可以提高垂直方向的...

2023-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝刻蝕工藝 4k 0

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)之干法刻蝕工藝詳解

今天我們要一起揭開(kāi)一個(gè)隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場(chǎng)對(duì)微觀世界的深入探秘，更是一次對(duì)半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。

2024-08-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體刻蝕工藝 3.9k 0

Bosch刻蝕工藝的制造過(guò)程

Bosch刻蝕工藝作為微納加工領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)于HBM和TSV的制造起到了至關(guān)重要的作用。

2024-10-31 標(biāo)簽：工藝 BOSCH 刻蝕工藝 3.9k 0

芯片制造的刻蝕工藝科普

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...

2023-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制程工藝 3.8k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(3)

對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體等離子體 3.4k 0

等離子體刻蝕工藝簡(jiǎn)介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標(biāo)簽：PVD ICP CVD 3.3k 0

刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝

在本篇文章中，我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。一、刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià) 1）刻蝕速率刻蝕速率是指在蝕刻過(guò)程中被去...

2024-11-15 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕工藝 3.2k 0

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。

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刻蝕工藝

刻蝕工藝技術(shù)

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