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標(biāo)簽 > 刻蝕工藝
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濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨特的工藝優(yōu)勢...
等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì),例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與...
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...
嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過1...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
2023-09-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1.8k 0
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中,我們了解了如何制作“餅干模具”。本期,我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點,在于如何移除...
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