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仁懋電子

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仁懋電子技術(shù)

MOT (仁懋) MOT7136T 技術(shù)全解析

在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級(jí)新能源逆變器等場(chǎng)景中，MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 462 0

MOT (仁懋) MOT1126T 技術(shù)全解析

在30kW級(jí)工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場(chǎng)景中，MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT11...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 422 0

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PW...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 419 0

選型手冊(cè)：MBR10200F 肖特基勢(shì)壘整流二極管

仁懋電子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、...

2025-11-03 標(biāo)簽：二極管 MOS 仁懋電子 413 0

MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二極管技術(shù)全解析

在開關(guān)電源、高頻逆變器等電力電子設(shè)備中，肖特基整流二極管的性能直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作為10A級(jí)別肖特基整流器...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS 肖特基二極管仁懋電子 413 0

MOT1145HD 技術(shù)解析：仁懋 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 特性與應(yīng)用

一、基本參數(shù)與結(jié)構(gòu)MOT1145HD是**仁懋電子（MOT）**推出的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），采用TO-252貼片封裝，適用于中大功率開關(guān)...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 409 0

選型手冊(cè)：MOT5N65C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開關(guān)速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 397 0

MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 391 0

基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，MOSFET作為功率開關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss=Cgd+C...

2025-09-27 標(biāo)簽：MOSFET 直流電機(jī)MOS 386 0

MOT (仁懋) MOT8125T 技術(shù)全解析

在工業(yè)電源、新能源充電樁等大功率電力電子系統(tǒng)中，MOSFET的開關(guān)速度與功率承載能力直接決定整機(jī)性能上限。MOT(仁懋)作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS 仁懋電子 386 0

選型手冊(cè)：MOT10150D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性，適...

2025-11-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 367 0

MOT2045D 20A 肖特基勢(shì)壘整流器技術(shù)解析：高效整流的可靠之選

在開關(guān)電源、高頻整流等高效電力電子場(chǎng)景中，肖特基整流器憑借低正向壓降、快開關(guān)速度的優(yōu)勢(shì)成為核心器件之一。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT2045D型號(hào)...

2025-10-23 標(biāo)簽：整流器 MOS 仁懋電子 349 0

選型手冊(cè)：MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、...

2025-11-04 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 341 0

選型手冊(cè)：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特...

2025-11-03 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 340 0

選型手冊(cè)：MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛...

2025-10-28 標(biāo)簽：晶體管 MOS 仁懋電子 251 0

MOT (仁懋) MOT1145HD技術(shù)全解析

在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中功率電力電子場(chǎng)景中，MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1...

2025-10-21 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 230 0

MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號(hào)，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 223 0

MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)設(shè)備控制等場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 218 0

MOT (仁懋) MBR10150F 技術(shù)全解析

在開關(guān)電源、高頻逆變器等中功率電力電子系統(tǒng)中，肖特基整流二極管的正向壓降與浪涌耐受能力直接影響系統(tǒng)能效與可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作...

2025-10-21 標(biāo)簽：MOS 仁懋電子 211 0

MOT8576T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：大功率場(chǎng)景的性能標(biāo)桿

在大功率電力電子系統(tǒng)中，MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與熱管理能力直接決定系統(tǒng)的可靠性與能效。本文聚焦仁懋電子（MOT）的MOT8576T型號(hào)，從...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 200 0

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