仁懋電子（MOT）推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、工業(yè)大電流負(fù)載開關(guān)、儲能電源模塊等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息（推導(dǎo)）

• 電壓與電流：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）預(yù)計(jì)為100V級，適配中低壓大電流供電場景；連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）達(dá)150A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流可支持?jǐn)?shù)倍于連續(xù)電流的短時過載，滿足大負(fù)載瞬時功率需求。
• 導(dǎo)通電阻：柵源電壓\(V_{GS}=10V\)時，導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）預(yù)計(jì)處于毫歐級超低水平，大幅降低大電流下的導(dǎo)通損耗。

二、核心特性（推導(dǎo)）

• 低損耗架構(gòu)：延續(xù) MOT 系列\(zhòng)(R_{DS(on)} \times Q_g\)行業(yè)標(biāo)桿設(shè)計(jì)，同時優(yōu)化導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，適配高頻 PWM 控制的高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換場景，提升系統(tǒng)能量效率。
• 高電流密度：在緊湊封裝下實(shí)現(xiàn) 150A 級電流承載，適配工業(yè)設(shè)備、儲能系統(tǒng)的小型化功率設(shè)計(jì)需求。
• 魯棒性設(shè)計(jì)：具備優(yōu)異的雪崩耐量與熱穩(wěn)定性，在大電流沖擊、感性負(fù)載開關(guān)等嚴(yán)苛工況下可靠性強(qiáng)。

三、封裝與應(yīng)用場景（推導(dǎo)）

• 封裝形式：預(yù)計(jì)采用TO-252 貼片封裝（后綴 “D” 典型標(biāo)識），適配高密度電路板的大電流功率布局；也可提供 TO-251 直插封裝（按需選擇），滿足傳統(tǒng)插裝式系統(tǒng)需求。
• 典型應(yīng)用：
  • 高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在工業(yè)電源、新能源設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換回路中，作為主開關(guān)管實(shí)現(xiàn)大電流高效能量轉(zhuǎn)換；
  • 工業(yè)大電流負(fù)載開關(guān)：用于電機(jī)驅(qū)動、高功率設(shè)備的負(fù)載切換，150A 電流能力支持設(shè)備瞬時大功率啟動；
  • 儲能電源模塊：在儲能系統(tǒng)的充放電回路中，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的大電流功率控制。

四、信息說明

以上參數(shù)為基于 MOT 系列技術(shù)規(guī)律的推導(dǎo)，實(shí)際電氣參數(shù)、熱特性、可靠性指標(biāo)需以仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊為準(zhǔn)，建議在實(shí)際應(yīng)用前查閱最新規(guī)格書確認(rèn)細(xì)節(jié)。