仁懋電子(MOT)推出的 MOT5N50C 是一款面向 500V 高壓高頻場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借 500V 耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細說明。
一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與高壓高頻功率半導(dǎo)體布局
仁懋電子(MOT)深耕高壓功率半導(dǎo)體器件研發(fā),在500V 級高頻 MOSFET 領(lǐng)域具備技術(shù)積累,產(chǎn)品以 “高耐壓、快開關(guān)、高魯棒性” 為核心優(yōu)勢,服務(wù)于高頻電源、照明電子、工業(yè)控制等場景。MOT5N50C 系列作為其高壓高頻產(chǎn)品線的代表型號,針對 500V 高頻開關(guān)場景優(yōu)化了導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度,在高頻轉(zhuǎn)換、感性負載驅(qū)動等場景中表現(xiàn)突出。
二、MOT5N50C 基本信息
MOT5N50C 為N 溝道增強型功率 MOSFET,核心定位 “500V 級高頻高效開關(guān)器件”,適配 500V 系統(tǒng)的功率控制需求(如高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器等)。其核心特性包括:
- 電壓適配:漏源極耐壓(VDS)達 500V,兼容高壓高頻供電系統(tǒng);
 - 電流能力:25℃下連續(xù)漏極電流(ID)為 5A,脈沖漏極電流(IDpk)達 10A,滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求;
 - 導(dǎo)通損耗:柵源電壓(VGS=10V)下導(dǎo)通電阻(RDS (on))典型值為 1.2Ω,在高壓高頻場景中平衡損耗與開關(guān)速度;
 - 封裝形式:采用 TO-252 貼片封裝,無鹵版本每卷 2500 片,適配高密度高頻電路板設(shè)計;同時提供 TO-251 直插封裝(對應(yīng)型號 MOT5N50D),滿足不同工藝需求。
 
三、核心特性
MOT5N50C 圍繞 “高壓高頻高效開關(guān)” 需求打造,具備以下技術(shù)優(yōu)勢:
- 快速開關(guān)能力:優(yōu)化芯片設(shè)計實現(xiàn)快開關(guān)特性,適合高頻開關(guān)電源(如 LLC 拓撲)、電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的場景;
 - 雪崩能量保障:通過雪崩能量測試(單脈沖雪崩能量典型值 4.5mJ),在感性負載開關(guān)、異常過壓等場景下可靠性更高;
 - 高 dv/dt 魯棒性:強化 dv/dt 耐受能力(峰值反向恢復(fù) dv/dt 典型值 650V/μs),適應(yīng)高頻高壓環(huán)境的嚴苛工作條件;
 - 環(huán)保與合規(guī)性:無鹵版本符合綠色電子制造要求,適配 RoHS 合規(guī)的生產(chǎn)場景。
 
四、關(guān)鍵電氣參數(shù)(Tc=25℃,除非特殊說明)
1. 絕對最大額定值
- 漏源極電壓(VDS):最大值 500V,超過此值易導(dǎo)致器件擊穿;
 - 柵源極電壓(VGS):±30V,柵極驅(qū)動需控制在該范圍內(nèi)以避免柵極氧化層損壞;
 - 連續(xù)漏極電流(ID):5A(Tc=25℃),隨結(jié)溫升高需降額使用;
 - 脈沖漏極電流(IDpk):10A(脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%),支持負載短時過載;
 - 功耗(PD):150W(Tc=25℃),需搭配散熱措施保障長期可靠工作;
 - 結(jié)溫范圍(TJ):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致;
 - 單脈沖雪崩能量(EAS):4.5mJ,應(yīng)對感性負載關(guān)斷時的能量沖擊;
 - 峰值反向恢復(fù) dv/dt:650V/μs,在高速開關(guān)場景中抑制電壓尖峰。
 
五、封裝與型號釋義
MOT5N50C 的型號與封裝對應(yīng)關(guān)系如下:
- MOT5N50C:“MOT” 為品牌標識(仁懋電子),“5N” 代表 “5A 額定電流(N 溝道)”,“50” 代表 “500V 漏源耐壓”,“C” 為版本標識(貼片封裝 TO-252,無鹵工藝);
 - MOT5N50D:后綴 “D” 對應(yīng) TO-251 直插封裝,每管 70 片,適配傳統(tǒng)插裝式高壓電路設(shè)計。
 
其貼片封裝 TO-252 為表面貼裝形式,無鹵版本每卷 2500 片,滿足規(guī)?;a(chǎn)的高密度組裝需求。
六、典型應(yīng)用場景
MOT5N50C 憑借 500V 耐壓與快速開關(guān)特性,典型應(yīng)用包括:
- 高頻開關(guān)模式電源:適配 LLC、反激等高頻拓撲的 AC-DC/DC-DC 轉(zhuǎn)換器,在服務(wù)器電源、工業(yè)電源中實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換;
 - 電子鎮(zhèn)流器:用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路,通過高速開關(guān)實現(xiàn)燈光穩(wěn)定驅(qū)動;
 - LED 電源:在高壓 LED 驅(qū)動電源中作為主開關(guān)管,兼顧耐壓與高頻開關(guān)需求;
 - 高壓負載控制:如高壓繼電器替代、高壓電磁閥驅(qū)動等場景,利用其高耐壓特性簡化電路設(shè)計。
 
七、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:上述參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
- 
                                晶體管
                                +關(guān)注
關(guān)注
78文章
10124瀏覽量
145420 - 
                                MOS
                                +關(guān)注
關(guān)注
32文章
1493瀏覽量
99373 - 
                                仁懋電子
                                +關(guān)注
關(guān)注
0文章
114瀏覽量
398 
發(fā)布評論請先 登錄
          
        
        
選型手冊:MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
                
 
    
           
            
            
                
            
評論