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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- N/P N
- Vdss 30V
- ID 180A
- Vgs ±20V
- Rds-on 2mΩ
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46
產(chǎn)品型號：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8 -
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28
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中科微電ZK21312025-10-17 10:10
產(chǎn)品型號：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8 -
中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55
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中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45
產(chǎn)品型號：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20 Typ：1.64 -
中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20
產(chǎn)品型號：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：27 -
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13
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中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59
產(chǎn)品型號：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：29 -
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級2025-09-25 09:30
產(chǎn)品型號：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A -
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17
產(chǎn)品型號：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98
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能量調(diào)控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性與價(jià)值2025-11-06 16:52
在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）始終占據(jù)著核心地位，它們?nèi)缤芰苛鬓D(zhuǎn)的“閘門”，精準(zhǔn)控制著電流的通斷與強(qiáng)弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET，以其明確的性能標(biāo)識、優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和先進(jìn)的制造工藝，成為眾多設(shè)備中不可或缺的“能量調(diào)控使者”，在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重?fù)?dān)當(dāng)。135瀏覽量 -
功率器件MOS管中的實(shí)干家：ZK100G120B的性能優(yōu)勢與場景賦能2025-11-06 16:25
在布滿精密元件的電路板上，功率器件就像“能量調(diào)度官”，負(fù)責(zé)電能的高效傳輸與精準(zhǔn)控制。ZK100G120B這款標(biāo)注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，沒有華麗的外觀，卻以扎實(shí)的參數(shù)配置和可靠的性能表現(xiàn)，在中低壓功率場景中占據(jù)重要地位。當(dāng)我們深入解讀它的各項(xiàng)參數(shù)密碼，便能發(fā)現(xiàn)它成為眾多工程師首選的核心原因。122瀏覽量 -
中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇2025-11-06 14:49
中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。44瀏覽量 -
ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)2025-11-06 14:35
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。33瀏覽量 -
中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破2025-11-06 13:44
在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時(shí)，一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導(dǎo)通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應(yīng)運(yùn)而生。它不僅精準(zhǔn)契合了新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的嚴(yán)苛需求，更以硬核參數(shù)彰顯了功率半導(dǎo)體技術(shù)的25瀏覽量 -
ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿2025-11-05 16:30
在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持，精準(zhǔn)適配消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的大功率需求，成為兼顧“強(qiáng)性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件，為電路設(shè)計(jì)突破空間與能效瓶頸提136瀏覽量 -
中科微電ZK60N04NF：DFN封裝加持的中低壓功率控制核心2025-11-05 16:15
在中低壓功率電子系統(tǒng)中，MOS管的性能參數(shù)與封裝形式直接決定了電路的效率、可靠性與集成度。ZK60N04NF作為一款聚焦實(shí)用化的N溝道MOS管，以60V耐壓、40A電流承載能力及DFN5*6封裝的精準(zhǔn)組合，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換電路中脫穎而出，成為平衡性能、成本與空間的核心元器件，彰顯了功率器件“按需定制”的研發(fā)理念。125瀏覽量 -
中科微電ZG2131：賦能單相系統(tǒng)的高耐壓驅(qū)動(dòng)芯片新選擇2025-11-05 11:40
ZG2131單相驅(qū)動(dòng)芯片憑借300V高耐壓、10V-20V寬電源適配、1.0A/1.5A強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)等核心優(yōu)勢，搭配SOP8緊湊封裝，在眾多驅(qū)動(dòng)芯片中脫穎而出，成為小家電、工業(yè)控制、照明電源等領(lǐng)域的優(yōu)選方案，為單相系統(tǒng)的性能升級提供了有力支撐。61瀏覽量 -
中科微電ZK60N04NF：N溝槽MOS管中的場景適配專家2025-11-05 11:24
在功率半導(dǎo)體的細(xì)分賽道中，MOS管的性能參數(shù)直接決定著電路系統(tǒng)的效率與可靠性。ZK60N04NF這款明確標(biāo)注“N溝槽”屬性的MOS管，以60V額定電壓、40A額定電流與DFN5*6封裝的精準(zhǔn)組合，成為銜接中低壓功率場景與工程實(shí)踐的關(guān)鍵元器件。它既承載著N溝槽結(jié)構(gòu)的天然優(yōu)勢，又通過參數(shù)優(yōu)化與封裝創(chuàng)新，在工業(yè)控制、汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)勁的適配能力，為73瀏覽量 -
中科微電ZK150G05T：中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新2025-11-04 16:27
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。349瀏覽量
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上傳時(shí)間：2025-04-11 17:56
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