中科微電 ZK40G003LG

MOS管國(guó)內(nèi)芯片廠商

型號(hào)： ZK40G003LG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

N/P N
Vdss 40V
ID 198A
Vgs ±20V
Rds-on 0.8mΩ

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

ZK40G003LG.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

詳情請(qǐng)參考規(guī)格書

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產(chǎn)品文章資料

中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8
中科微電ZK30N100T2025-10-17 10:28

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
中科微電ZK21312025-10-17 10:10

產(chǎn)品型號(hào)：ZK2131 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V/3.3V 封裝：SOP8
中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G BVdss：30V ID：90A Typ：3.4 Vgs：±20
中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±20 Typ：1.64
中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DG BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：27
中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20 Typ：3.6
中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：29
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級(jí)2025-09-25 09:30

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17

產(chǎn)品型號(hào)：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98

中科微電：MOS管原廠實(shí)力，為產(chǎn)業(yè)筑牢功率控制“芯”基石2025-11-03 16:25

在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中，“原廠”身份意味著技術(shù)源頭、品質(zhì)可控與服務(wù)保障的三重核心價(jià)值。中科微電作為國(guó)內(nèi)資深的MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）原廠，深耕功率器件領(lǐng)域十余年，構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造協(xié)同、封裝測(cè)試到終端應(yīng)用的全鏈條服務(wù)體系，以自主核心技術(shù)與規(guī)?；a(chǎn)能力，為工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供高可靠、高性價(jià)比的MOS管產(chǎn)品，成為產(chǎn)業(yè)鏈上下游信賴的核心合作伙伴。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管
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中科微電：場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者2025-11-03 16:18

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以“技術(shù)創(chuàng)新為核，市場(chǎng)需求為導(dǎo)向”，在低壓、中壓、高壓場(chǎng)效應(yīng)管研發(fā)與制造領(lǐng)域不斷突破，成為推動(dòng)工業(yè)控制、新能源、消費(fèi)電子等行業(yè)升級(jí)的重要力量。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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ZK3030DG：N+P互補(bǔ)架構(gòu)，低壓雙向功率控制的革新方案2025-11-03 16:13

ZK3030DG的出現(xiàn)打破了這一困局——這款采用N+P互補(bǔ)雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET，將±30V雙向耐壓、±20A對(duì)稱電流的性能精準(zhǔn)融合，依托Trench工藝與PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了“單器件承載雙向控制”的突破，成為直流驅(qū)動(dòng)、能源管理等領(lǐng)域的優(yōu)選核心器件。本文將從架構(gòu)價(jià)值、參數(shù)解析、應(yīng)用落地三個(gè)維度，重構(gòu)ZK3030DG的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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中科微電ZK60N06DS：N+N，低壓mos管功率控制的集成化新選擇2025-11-03 15:39

ZK60N06DS這款采用N+N雙管集成結(jié)構(gòu)的MOSFET，正是為響應(yīng)這一需求而生——60V耐壓覆蓋主流低壓系統(tǒng)，5.8A單管載流適配中低功率負(fù)載，32mΩ低導(dǎo)通電阻保障能效，再輔以成熟的Trench工藝與緊湊的SOP-8封裝，成功將“雙管功能、單管占位”的優(yōu)勢(shì)落地，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、車載輔助等場(chǎng)景的優(yōu)選功率器件。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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中科微電ZK30N140T：Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿2025-10-31 14:55

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中科微電憑借多年技術(shù)積淀，持續(xù)推出契合市場(chǎng)需求的核心器件。針對(duì)低壓大電流場(chǎng)景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點(diǎn)，中科微電重磅推出N溝道MOS管ZK30N140T。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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ZK60G120T：SGT+小型化封裝，60V/120A功率控制的破局者2025-10-31 14:47

ZK60G120T以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底，融合屏蔽柵（SGT）核心技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，構(gòu)建起“高性能+小體積”的雙重優(yōu)勢(shì)，成為中低壓大電流領(lǐng)域的新一代標(biāo)桿。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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ZK30G011G：Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星2025-10-31 14:28

ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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ZK60G120T：SGT+PDFN封裝，60V/120A功率器件的小型化革命2025-10-31 14:09

在消費(fèi)電子快充、車載電源、工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)等中低壓大電流場(chǎng)景中，功率器件正面臨“大電流承載”與“小型化設(shè)計(jì)”的雙重訴求。ZK60G120T這款N溝道MOSFET，以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，創(chuàng)新融合屏蔽柵（SGT）技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝，既突破了傳統(tǒng)器件“大電流必大體積”的瓶頸，又實(shí)現(xiàn)了低損耗與高可靠性的平衡，成為中低壓大電流

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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ZK150G002TP：SGT技術(shù)賦能的150V高壓大電流MOSFET標(biāo)桿2025-10-31 11:03

在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景中，MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵（SGT）技術(shù)的N溝道MOSFET，以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數(shù)，成為高壓功率控制領(lǐng)域的核心優(yōu)選器件，為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關(guān)解決方案。

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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中科微電ZK4030DG：N+P MOS管領(lǐng)域的Trench工藝性能典范2025-10-30 10:49

在MOS管技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定、小型化成為行業(yè)核心追求。中科微電憑借對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK4030DG。該產(chǎn)品搭載先進(jìn)的Trench（溝槽）工藝，采用PDFN5x6-8L緊湊封裝，在電壓、電流、損耗控制等核心參數(shù)上表現(xiàn)亮眼，為汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等多領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì)提供了高效解決方案，成為N+P

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管電子元器件驅(qū)動(dòng)芯片
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