--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VZ 12V
- VF 9.1 V
--- 產(chǎn)品詳情 ---








為你推薦
-
廠家直銷MDD品牌1SS355開關(guān)貼片二極管SOD-323封裝絲印A現(xiàn)貨供應(yīng)2022-05-18 16:58
產(chǎn)品型號:1SS355 VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4764A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:41
產(chǎn)品型號:1SMA4764A VZ:100V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4754A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:34
產(chǎn)品型號:1SMA4754A VZ:39V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4749A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 24V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:30
產(chǎn)品型號:1SMA4749A VZ:24V -
MDD品牌1SMA4746A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 18V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:27
產(chǎn)品型號:1SMA4746A VZ:18V -
MDD品牌1SMA4743A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝2022-05-17 18:06
產(chǎn)品型號:1SMA4743A VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 18:04
產(chǎn)品型號:1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 17:59
產(chǎn)品型號:1SMA4742 VZ:12V VF:9.1 V -
MDD品牌1SMA4742A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-17 17:57
產(chǎn)品型號:1SMA4742A VZ:12.0V VF:1.2V -
MDD品牌1SMA4740A穩(wěn)壓二極管SMA封裝 9.5V 現(xiàn)貨2022-05-17 17:55
產(chǎn)品型號:1SMA4740A VZ:9.5V VF:1.2V
-
感性負(fù)載應(yīng)用中整流二極管的典型問題與解決方案2025-11-03 11:24
在各種電源、電機(jī)控制、繼電器驅(qū)動及工業(yè)控制系統(tǒng)中,普通整流二極管常被用于抑制感性負(fù)載的反向電動勢,保護(hù)驅(qū)動電路安全。然而,很多工程師在實(shí)際設(shè)計中只關(guān)注“電流夠不夠、耐壓夠不夠”,忽視了電路動態(tài)特性、器件響應(yīng)時間及散熱問題,導(dǎo)致整流二極管出現(xiàn)發(fā)熱、損壞或保護(hù)失效等問題。本文將從FAE角度,結(jié)合典型案例,分析感性負(fù)載應(yīng)用中整流二極管常見問題及優(yōu)化建議。一、典型應(yīng) -
MDD 邏輯IC的功耗管理與優(yōu)化策略2025-10-30 09:49
隨著數(shù)字電路設(shè)計的復(fù)雜度不斷提升,功耗管理成為了系統(tǒng)設(shè)計中不可忽視的重要議題。尤其是在移動設(shè)備、消費(fèi)電子、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域,如何降低功耗以提高能源效率和延長電池壽命,已成為設(shè)計過程中關(guān)鍵的考慮因素之一。對于MDD辰達(dá)半導(dǎo)體邏輯IC(集成電路)而言,合理的功耗管理不僅能提升系統(tǒng)性能,還能有效延長設(shè)備的使用壽命。因此,作為FAE,在客戶的設(shè)計過程中,協(xié)助優(yōu)化功耗 -
MDD 邏輯IC的邏輯電平不兼容問題與解決方案2025-10-29 09:39
-
MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策2025-10-23 09:54
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET以其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而,F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn),柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控制端,雖然不直接承載大電流,但其電壓的穩(wěn)定性卻直接決定了MOS的導(dǎo)通狀態(tài)與系統(tǒng)安全。任何一次“柵極失控”,都可能導(dǎo)致器件擊穿、短路甚至整機(jī)損壞 -
多顆MOS并聯(lián)時熱分布不均,導(dǎo)致個別器件過熱失效的原因與對策2025-10-22 10:17
-
MDD橋堆開路失效或單向?qū)ǖ脑蚺c解決方案2025-10-16 10:08
-
MDD橋堆整流后電壓異?;虿ㄐ位兊脑蚺c解決方案2025-10-15 11:11
-
三極管漏電流偏大問題解析與解決方案2025-09-26 11:02
-
三極管 PCB 布局問題與優(yōu)化建議2025-09-25 14:00
-
多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)時,電流/電壓均分是否均衡?2025-09-18 09:44
在高頻電路設(shè)計中,半導(dǎo)體器件的寄生參數(shù)往往比靜態(tài)指標(biāo)更為關(guān)鍵。高壓二極管或開關(guān)二極管在datasheet中,通常會標(biāo)注一個結(jié)電容(Cj)參數(shù)。很多客戶在初期選型時容易忽略它,只關(guān)注耐壓、正向電流和反向恢復(fù)時間。但在實(shí)際的高頻應(yīng)用中,結(jié)電容卻可能直接決定電路的速度和信號完整性。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文將結(jié)合物理機(jī)理和應(yīng)用案例,從FAE角度進(jìn)行分析。一、結(jié)電容的本
-
上傳時間:2022-08-19 15:55
1次下載