MDD品牌1A7軸向整流二極管R-1封裝1A 1000V現(xiàn)貨供應

整流二極管

型號： 1A7

品牌： MDD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

VR 1000
IO 1

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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產(chǎn)品文章資料

廠家直銷MDD品牌1SS355開關(guān)貼片二極管SOD-323封裝絲印A現(xiàn)貨供應2022-05-18 16:58

產(chǎn)品型號：1SS355 VF：1.2V
MDD品牌1SMA4764A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:41

產(chǎn)品型號：1SMA4764A VZ：100V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4754A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-18 16:34

產(chǎn)品型號：1SMA4754A VZ：39V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4749A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 24V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:30

產(chǎn)品型號：1SMA4749A VZ：24V
MDD品牌1SMA4746A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 18V 1W現(xiàn)貨2022-05-18 16:27

產(chǎn)品型號：1SMA4746A VZ：18V
MDD品牌1SMA4743A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝2022-05-17 18:06

產(chǎn)品型號：1SMA4743A VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 18:04

產(chǎn)品型號：1SMA4742 VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝 12V 1W現(xiàn)貨2022-05-17 17:59

產(chǎn)品型號：1SMA4742 VZ：12V VF：9.1 V
MDD品牌1SMA4742A貼片穩(wěn)壓二極管SMA封裝現(xiàn)貨2022-05-17 17:57

產(chǎn)品型號：1SMA4742A VZ：12.0V VF：1.2V
MDD品牌1SMA4740A穩(wěn)壓二極管SMA封裝 9.5V 現(xiàn)貨2022-05-17 17:55

產(chǎn)品型號：1SMA4740A VZ：9.5V VF：1.2V

感性負載應用中整流二極管的典型問題與解決方案2025-11-03 11:24

在各種電源、電機控制、繼電器驅(qū)動及工業(yè)控制系統(tǒng)中，普通整流二極管常被用于抑制感性負載的反向電動勢，保護驅(qū)動電路安全。然而，很多工程師在實際設計中只關(guān)注“電流夠不夠、耐壓夠不夠”，忽視了電路動態(tài)特性、器件響應時間及散熱問題，導致整流二極管出現(xiàn)發(fā)熱、損壞或保護失效等問題。本文將從FAE角度，結(jié)合典型案例，分析感性負載應用中整流二極管常見問題及優(yōu)化建議。一、典型應

fae 感性負載整流二極管
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MDD 邏輯IC的功耗管理與優(yōu)化策略2025-10-30 09:49

隨著數(shù)字電路設計的復雜度不斷提升，功耗管理成為了系統(tǒng)設計中不可忽視的重要議題。尤其是在移動設備、消費電子、嵌入式系統(tǒng)等領域，如何降低功耗以提高能源效率和延長電池壽命，已成為設計過程中關(guān)鍵的考慮因素之一。對于MDD辰達半導體邏輯IC（集成電路）而言，合理的功耗管理不僅能提升系統(tǒng)性能，還能有效延長設備的使用壽命。因此，作為FAE，在客戶的設計過程中，協(xié)助優(yōu)化功耗

功耗管理電路設計邏輯IC
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MDD 邏輯IC的邏輯電平不兼容問題與解決方案2025-10-29 09:39

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，MDD辰達半導體邏輯IC（集成電路）扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應用于數(shù)據(jù)處理、時序控制、信號轉(zhuǎn)換等各類電路中。隨著技術(shù)的進步，不同邏輯系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不斷被引入市場，它們具有各自的優(yōu)勢，但也帶來了邏輯電平不兼容的問題，尤其是在多個不同類型的邏輯IC互聯(lián)時，電平不匹配的問題顯得尤為突出。作為FAE，幫助客戶理解

邏輯IC 邏輯電平集成電路
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MOSFET柵極電壓異?；蚴Э氐脑蚺c對策2025-10-23 09:54

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET以其高開關(guān)速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅(qū)動及DC-DC轉(zhuǎn)換等領域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異?；蚴Э厥窃斐蒑OSFET失效的常見原因之一。柵極作為控制端，雖然不直接承載大電流，但其電壓的穩(wěn)定性卻直接決定了MOS的導通狀態(tài)與系統(tǒng)安全。任何一次“柵極失控”，都可能導致器件擊穿、短路甚至整機損壞

MOSFET MOSFET管功率電子柵極電壓
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多顆MOS并聯(lián)時熱分布不均，導致個別器件過熱失效的原因與對策2025-10-22 10:17

在高功率應用中，為了分擔電流、降低損耗，工程師往往會將多顆MOSFET并聯(lián)使用。例如在DC-DC電源、馬達驅(qū)動或逆變器電路中，通過并聯(lián)MOS實現(xiàn)更大的電流承載能力與更低的導通阻抗。然而，MDDFAE在現(xiàn)場常遇到這樣的問題：雖然設計理論上電流均分，但實測發(fā)現(xiàn)某顆MOS溫度明顯偏高，最終提前熱失效。這種“熱分布不均”的現(xiàn)象是并聯(lián)設計中最常見、也最容易被忽視的隱患

MOS MOSFET 器件
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MDD橋堆開路失效或單向?qū)ǖ脑蚺c解決方案2025-10-16 10:08

MDD辰達半導體橋堆（BridgeRectifier）是電源電路中最基礎也是最關(guān)鍵的整流器件，它負責將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC），為后級電路提供穩(wěn)定的電源。然而在長期的客戶應用中，F(xiàn)AE常常接到反饋：電源輸出異常、波形畸變或設備無法啟動。經(jīng)排查后發(fā)現(xiàn)，根本原因多是橋堆出現(xiàn)了開路失效或單向?qū)ǖ膯栴}。這類故障雖然常見，但診斷難度較大，若處理不當可能導致

半導體整流器橋堆
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MDD橋堆整流后電壓異?；虿ㄐ位兊脑蚺c解決方案2025-10-15 11:11

在電源電路中，橋堆（BridgeRectifier）是將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）的關(guān)鍵器件。它由四個二極管組成，按特定結(jié)構(gòu)連接成全波整流電路，輸出經(jīng)過濾波后即可得到穩(wěn)定的直流電壓。然而，在現(xiàn)場應用中，工程師常會遇到橋堆整流輸出電壓異常、波形畸變或不穩(wěn)定等問題。這類現(xiàn)象不僅影響電源效率，還可能導致后級電路異常甚至損壞。作為MDD辰達半導體的FAE，我

整流橋堆橋堆直流電
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三極管漏電流偏大問題解析與解決方案2025-09-26 11:02

在電子電路應用中，MDD辰達半導體三極管作為常見的基礎器件，被廣泛用于放大與開關(guān)控制。然而，工程師在測試與使用中，經(jīng)常會遇到一個典型現(xiàn)象：三極管的漏電流（主要指反向漏電流I_CBO、I_CEO）偏大。這種現(xiàn)象輕則帶來電路功耗上升、靜態(tài)電壓漂移，重則導致器件發(fā)熱、失效甚至影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。作為FAE，我們需要幫助客戶理解其原因并提供優(yōu)化建議。一、漏電流偏大的原因

三極管器件電流
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三極管 PCB 布局問題與優(yōu)化建議2025-09-25 14:00

MDD辰達半導體三極管在電子電路中廣泛應用于放大、開關(guān)、調(diào)制等場合。雖然器件本身的性能參數(shù)很重要，但在實際應用中，PCB布局往往直接決定了電路的穩(wěn)定性、速度以及可靠性。很多工程師在調(diào)試時會發(fā)現(xiàn)：同樣的三極管，換一個PCB布局，性能差異竟然非常大。這說明三極管的PCB布局問題不容忽視。下面結(jié)合常見問題和優(yōu)化經(jīng)驗進行分析。一、三極管PCB布局常見問題走線過長，寄

PCB布局三極管電子電路
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多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)時，電流/電壓均分是否均衡？2025-09-18 09:44

在高頻電路設計中，半導體器件的寄生參數(shù)往往比靜態(tài)指標更為關(guān)鍵。高壓二極管或開關(guān)二極管在datasheet中，通常會標注一個結(jié)電容（Cj）參數(shù)。很多客戶在初期選型時容易忽略它，只關(guān)注耐壓、正向電流和反向恢復時間。但在實際的高頻應用中，結(jié)電容卻可能直接決定電路的速度和信號完整性。MDD辰達半導體在本文將結(jié)合物理機理和應用案例，從FAE角度進行分析。一、結(jié)電容的本

串聯(lián) 二極管并聯(lián) 高壓二極管
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