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FDC6323L 集成式負(fù)載開(kāi)關(guān)

數(shù)據(jù):

這些集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)采用飛兆專(zhuān)有的,高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制的。這些器件特別適合需要低傳導(dǎo)損耗和輕松驅(qū)動(dòng)的低壓高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
特性
  • VDROP = 0.2V @ VIN = 5V,IL = 1A,VON / OFF = 1.5V至8V
    VDROP = 0.3V @ VIN = 3.3V,IL = 1A,VON / OFF = 1.5V至8V
  • 為極低導(dǎo)通電阻而設(shè)計(jì)的高單元密度
  • VON / OFF齊納管可增強(qiáng)耐靜電放電能力
    > 6kV人體模型
  • SuperSOT?-6封裝設(shè)計(jì)(使用銅引線(xiàn)框架),可提供出色的熱和電氣能力
應(yīng)用
  • 此產(chǎn)品是一般的u鼠尾草適用于許多不同的應(yīng)用。

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1) 相關(guān)資料(5)
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