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CSD95481RWJ 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的 60A 同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)

數(shù)據(jù):

描述

CSD95481RWJ NexFET?功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),適用于高功率,高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET,可完成功率級(jí)開關(guān)功能。這種組合可在小型5 mm×6 mm外形封裝中產(chǎn)生高電流,高效率和高速開關(guān)能力。它還集成了精確的電流檢測(cè)和溫度傳感功能,以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高精度。此外,PCBfootprint已經(jīng)過優(yōu)化,有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化完整的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


特性

  • 60-A連續(xù)工作電流能力
  • 30 A時(shí)系統(tǒng)效率超過95%
  • 高頻操作(最高1.25 MHz)
  • 二極管仿真功能
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流檢測(cè)
  • 模擬溫度輸出
  • 故障監(jiān)控
  • 兼容3.3V和5V PWM信號(hào)
  • 三態(tài)PWM輸入
  • 集成自舉開關(guān)
  • 優(yōu)化射擊保護(hù)的死區(qū)時(shí)間
  • 高密度QFN 5 mm×6 mm封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化PCB封裝
  • 熱增強(qiáng)型上部冷卻
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) - 無鉛端子電鍍
  • 無鹵素

全部商標(biāo)是其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95481RWJ CSD95480RWJ CSD95482RWJ
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
2.7 ? ? 2.3 ? ? 1.6 ? ?
30 ? ? 30 ? ? 20 ? ?
60 ? ? 70 ? ? 40 ? ?
PowerStage ? ? PowerStage ? ? PowerStage ? ?
QFN5x6 Package PowerStage ? ? QFN 5x6 Power Stage ? ? QFN5x6 PowerStage ? ?
-55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ?
41VQFN-CLIP ? ? 41VQFN-CLIP ? ? 41VQFN-CLIP ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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