STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的RDS(on) 和快速恢復(fù)二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，提供多漏極制造工藝，從而實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

STM STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET具有非常低的恢復(fù)充電/電荷（Q rr ）、時(shí)間（t rr ）和RDS(on) ?？焖匍_(kāi)關(guān)超級(jí)結(jié)功率MOSFET量身定制的這些特性使其非常適用于最苛刻的高效橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器。

特性

• 快速恢復(fù)體二極管
• 在硅基快速恢復(fù)器件中，每區(qū)域的RDS(on) 優(yōu)異
• 低柵極充電/電荷、輸入電容和電阻
• 100%經(jīng)雪崩測(cè)試
• 極高dv/dt耐受性

典型應(yīng)用

?STP60N043DM9功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

一、產(chǎn)品核心特性概述

STP60N043DM9是STMicroelectronics采用最新MDmesh DM9技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET，具有突破性的性能參數(shù)組合：

• ?額定電壓?：600V Drain-Source擊穿電壓
• ?導(dǎo)通電阻?：38mΩ典型值（43mΩ最大值）
• ?連續(xù)電流?：56A（TC=25℃）/35A（TC=100℃）
• ?封裝形式?：TO-220標(biāo)準(zhǔn)功率封裝

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)深度分析

2.1 靜態(tài)特性

?絕對(duì)最大額定值?：

• 門(mén)極-源極電壓(VGS): ±30V
• 最大功耗(PTOT): 245W（TC=25℃）
• 工作結(jié)溫范圍(TJ): -55℃至150℃

?導(dǎo)通特性?：

• 門(mén)極閾值電壓(VGS(th)): 3.5-4.5V
• 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on)):
  • 典型值38mΩ @ VGS=10V, ID=28A
  • 最大值43mΩ

2.2 動(dòng)態(tài)性能

?開(kāi)關(guān)特性?（VDD=400V, ID=28A, RG=4.7Ω條件下）：

• 開(kāi)通延遲時(shí)間(td(on)): 75ns
• 開(kāi)通上升時(shí)間(tr): 3.5ns
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(td(off)): 34ns
• 關(guān)斷下降時(shí)間(tf): 48ns

?柵極電荷參數(shù)?：

• 總柵極電荷(Qg): 78.6nC
• 柵源電荷(Qgs): 29nC
• 柵漏電荷(Qgd): 20nC

三、技術(shù)優(yōu)勢(shì)解析

3.1 MDmesh DM9技術(shù)創(chuàng)新

該器件基于超級(jí)結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，在多漏極制造工藝的支持下實(shí)現(xiàn)：

• ? 單位面積最低RDS(on) ?：在硅基快速恢復(fù)器件中表現(xiàn)優(yōu)異
• ?快速恢復(fù)體二極管?：具備極低的恢復(fù)電荷(Qrr)、恢復(fù)時(shí)間(trr)
• ?增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)?：優(yōu)化了功率密度和開(kāi)關(guān)性能

3.2 關(guān)鍵性能亮點(diǎn)

• ?高dv/dt耐受性?：1300V/ns，確保在惡劣開(kāi)關(guān)環(huán)境下的可靠性
• ?100%雪崩測(cè)試?：提供完整的單脈沖雪崩能量(EAS)775mJ
• ?低輸入電容?：Ciss=4675pF，減少驅(qū)動(dòng)電路負(fù)擔(dān)

四、應(yīng)用場(chǎng)景指導(dǎo)

4.1 優(yōu)選應(yīng)用領(lǐng)域

1. ?高效橋式拓?fù)?/strong>?：得益于快速恢復(fù)特性，特別適合全橋、半橋結(jié)構(gòu)
2. ?ZVS相移轉(zhuǎn)換器?：低Qg和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性提升零電壓開(kāi)關(guān)性能
3. ?LLC諧振轉(zhuǎn)換器?：低導(dǎo)通損耗和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性

4.2 設(shè)計(jì)考量要點(diǎn)

?熱管理設(shè)計(jì)?：

• 結(jié)-殼熱阻(RthJC): 0.51℃/W
• 結(jié)-環(huán)境熱阻(RthJA): 62.5℃/W
• 建議配合適當(dāng)散熱器使用，確保結(jié)溫不超過(guò)150℃

?驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?：

• 推薦驅(qū)動(dòng)電壓10-15V，確保充分導(dǎo)通
• 考慮柵極電阻對(duì)開(kāi)關(guān)速度的影響，合理選擇RG值

五、數(shù)據(jù)手冊(cè)關(guān)鍵圖表解讀

5.1 安全工作區(qū)(SOA)

• 單脈沖操作下支持高電流瞬態(tài)
• 受限于最大結(jié)溫，需結(jié)合熱阻參數(shù)計(jì)算

5.2 溫度特性曲線(xiàn)

• RDS(on)與溫度正相關(guān)，高溫環(huán)境下需降額使用
• VGS(th)具有負(fù)溫度系數(shù)，高溫下需確保足夠的驅(qū)動(dòng)電壓

六、可靠性驗(yàn)證與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

該器件經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的生產(chǎn)測(cè)試流程：

• 100%雪崩能量測(cè)試
• 完整的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
• 溫度特性驗(yàn)證（-55℃至150℃）

七、選型對(duì)比建議

當(dāng)設(shè)計(jì)600V級(jí)功率系統(tǒng)時(shí)，STP60N043DM9在以下場(chǎng)景具有明顯優(yōu)勢(shì)：

• 需要快速開(kāi)關(guān)性能的高頻應(yīng)用
• 對(duì)效率要求嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)
• 空間受限但需要高功率密度的場(chǎng)合