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      CSD16556Q5B 25V NexFET N 通道功率 MosFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款25V，0.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET功率MOSFET設(shè)計(jì)用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。

      特性

      • 超低電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩級(jí)
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

      應(yīng)用范圍

      • 網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
      • 已針對(duì)同步場效應(yīng)應(yīng)晶進(jìn)管（FET）應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD16556Q5B
      25 ? ?
      Single ? ?
      1.5 ? ?
      1.07 ? ?
      400 ? ?
      37 ? ?
      13 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      263 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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