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SN74TVC3010提供11個并聯(lián)NMOS傳輸晶體管和一個公共柵極。開關的低導通狀態(tài)電阻允許以最小的傳播延遲進行連接。
該器件可用作10位開關,其柵極級聯(lián)到參考晶體管。每個傳輸晶體管的低壓側(cè)限于由參考晶體管設置的電壓。這樣做是為了保護具有對高態(tài)電壓電平過沖敏感的輸入的元件。 (參見本數(shù)據(jù)手冊中的應用信息。)
TVC陣列中的所有晶體管都具有相同的電氣特性;因此,它們中的任何一個都可以用作參考晶體管。由于在器件內(nèi),晶體管與晶體管的特性相等,因此最大輸出高態(tài)電壓(V OH )近似為參考電壓(V REF ),從一個輸出到另一個輸出的偏差最小。與分立器件相比,這是TVC解決方案的一大優(yōu)勢。由于晶體管的制造是對稱的,每個位的端口連接都可以用作低壓側(cè),I /O信號通過每個FET是雙向的。
| ? |
|---|
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| Power Supply Type |
| Vss (Min) (V) |
| Vss (Max) (V) |
| Vdd (Min) (V) |
| Vdd (Max) (V) |
| Bandwidth (MHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| Supply Range (Max) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| ESD HBM (kV) |
| VIL (Max) (V) |
| VIH (Min) (V) |
| ? |
| SN74TVC3010 |
|---|
| 1:1 SPST ? ? |
| 11 ? ? |
| Single ? ? |
| N/A ? ? |
| N/A ? ? |
| 0 ? ? |
| 5 ? ? |
| 100 ? ? |
| Catalog ? ? |
| -40 to 85 ? ? |
| 24SOIC: 160 mm2: 10.3 x 15.5(SOIC) 24SSOP: 52 mm2: 6 x 8.65(SSOP) 24TSSOP: 50 mm2: 6.4 x 7.8(TSSOP) 24TVSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TVSOP) ? ? |
| SOIC SSOP TSSOP TVSOP ? ? |
| 5 ? ? |
| 12.5 ? ? |
| 64 ? ? |
| 12 ? ? |
| 4 ? ? |
| 1 ? ? |
| 2 ? ? |
| N/A ? ? |
| N/A ? ? |