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選型手冊(cè):MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-11-06 16:05 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向 500V 高壓高頻場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及 500V 耐壓,廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類(lèi)型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值2.4Ω,在高壓場(chǎng)景下平衡導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)性能;
    • 柵極電荷(\(Q_g\)):典型值18nC,降低驅(qū)動(dòng)電路功耗,提升開(kāi)關(guān)頻率適配性;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):5A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá)15A,滿(mǎn)足負(fù)載瞬間啟動(dòng)與持續(xù)工作需求。

二、核心特性

  • 快速開(kāi)關(guān)能力:具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度,適配高頻開(kāi)關(guān)電源(如 LLC 拓?fù)洹⒎醇ね負(fù)洌┘半娮渔?zhèn)流器等對(duì)開(kāi)關(guān)速度敏感的應(yīng)用場(chǎng)景,可提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率;
  • 雪崩可靠性:?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達(dá)60mJ,在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng);
  • dv/dt 魯棒性:優(yōu)化 dv/dt 耐受能力,適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴(yán)苛工作條件。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 功耗(\(P_D\)):32.9W,實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施(如散熱片、PCB 敷銅)保障長(zhǎng)期可靠工作;
  • 熱特性:結(jié)到環(huán)境熱阻(\(R_{JA}\))62.5℃/W,結(jié)到外殼熱阻(\(R_{JC}\))6.25℃/W,需通過(guò)封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理;
  • 工作 / 存儲(chǔ)結(jié)溫范圍:-55~+150℃

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

  • 封裝形式:采用TO-252 貼片封裝,為無(wú)鹵版本,每卷 2500 片,適配高密度電路板的高頻設(shè)計(jì)需求;
  • 典型應(yīng)用
    • 高頻開(kāi)關(guān)模式電源:如服務(wù)器電源、工業(yè) AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 LLC、反激拓?fù)渲校鳛橹鏖_(kāi)關(guān)管實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換;
    • 電子鎮(zhèn)流器:用于熒光燈、高壓氣體放電燈的驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)快速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)燈光穩(wěn)定控制;
    • LED 電源:在高壓 LED 驅(qū)動(dòng)電源中作為主開(kāi)關(guān)管,兼顧 500V 耐壓與高頻開(kāi)關(guān)需求。

五、信息來(lái)源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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