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選型手冊(cè):MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司 ? 2025-11-05 15:28 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向 40V 低壓大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A 超大電流承載能力及 TOLL-8L 小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車(chē)、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開(kāi)說(shuō)明。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類(lèi)型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):40V
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值2mΩ,\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值1.05mΩ
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):300A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))

二、核心特性

  • 超低導(dǎo)通電阻與大電流密度:采用先進(jìn)超級(jí)溝槽(Super trench)單元設(shè)計(jì),在 40V 耐壓下實(shí)現(xiàn)毫歐級(jí)超低導(dǎo)通電阻,300A 連續(xù)電流承載能力適配高功率密度場(chǎng)景;
  • 小型化封裝:采用TOLL-8L表面貼裝封裝,適配高密度電路板的空間約束,每卷 2000 片,滿足批量生產(chǎn)需求;
  • 高魯棒性設(shè)計(jì):?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá)1320mJ,脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá) 900A,可應(yīng)對(duì)負(fù)載短時(shí)超大電流沖擊;
  • 高頻開(kāi)關(guān)適配:動(dòng)態(tài)電容(輸入、輸出、反向傳輸電容)優(yōu)化,開(kāi)關(guān)時(shí)間(導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時(shí)間)達(dá)納秒級(jí),適合高頻 PWM 控制。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±20V;
  • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):900A;
  • 最大功耗(\(P_D\)):4000W;
  • 結(jié)到環(huán)境熱阻(\(R_{JA}\)):0.25℃/W
  • 工作 / 存儲(chǔ)結(jié)溫范圍:-55~+150℃;
  • 閾值電壓(\(V_{GS(th)}\)):1.7~3.0V;
  • 動(dòng)態(tài)電容(典型值):輸入電容(\(C_{iss}\))3725pF,輸出電容(\(C_{oss}\))131pF;
  • 開(kāi)關(guān)時(shí)間(典型值):導(dǎo)通延遲(\(t_{d(on)}\))14ns,上升時(shí)間(\(t_r\))170ns,關(guān)斷延遲(\(t_{d(off)}\))149ns,下降時(shí)間(\(t_f\))170ns。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

  • 封裝形式:TOLL-8L 表面貼裝封裝,適配小型化、高功率密度的電源與動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì);
  • 典型應(yīng)用
    • 高功率系統(tǒng)逆變器:在工業(yè)或新能源領(lǐng)域的逆變器中作為功率開(kāi)關(guān),低損耗特性提升能量轉(zhuǎn)換效率;
    • 輕型電動(dòng)車(chē)與無(wú)人機(jī):為電動(dòng)摩托車(chē)、無(wú)人機(jī)的動(dòng)力系統(tǒng)提供大電流功率控制,保障動(dòng)力輸出與系統(tǒng)可靠性。

五、信息來(lái)源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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