仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向 -100V 低壓大電流場(chǎng)景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A 大電流承載能力及 PDFN 小型化封裝，廣泛適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT1793G 為 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）達(dá) -100V；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）表現(xiàn)優(yōu)異，\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型值為 95mΩ，\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型值為 85mΩ；連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）在\(T_c=25^\circ\text{C}\)時(shí)為 -18A。

二、核心特性

• 超低導(dǎo)通電阻：在 -4.5V、-10V 柵壓下分別實(shí)現(xiàn) 95mΩ、85mΩ 超低導(dǎo)通電阻，大幅降低低壓大電流場(chǎng)景下的導(dǎo)通損耗。
• 小型化封裝：采用 PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，適配高密度電路板的空間約束，每卷 5000 片，滿足批量生產(chǎn)需求。
• 環(huán)保合規(guī)性：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造要求。
• 大電流魯棒性：脈沖漏極電流達(dá) -72A，可應(yīng)對(duì)負(fù)載短時(shí)大電流沖擊，在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的功率切換中可靠性強(qiáng)。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)

柵源極電壓最大值為 ±20V；連續(xù)漏極電流在\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為 -12A；最大功耗為 70W；結(jié)殼熱阻（\(R_{JC}\)）為 1.79℃/W；工作及存儲(chǔ)結(jié)溫范圍為 -55~+150℃。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

封裝形式為 PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，適配小型化、高密度的電源電路設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，在同步整流、降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛?P 溝道主開關(guān)管，其超低導(dǎo)通電阻特性可提升電源轉(zhuǎn)換效率，適配消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的電源模塊需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）