99久,中文字幕一区二区三区乱码 ,最近中文字幕mv免费视频

DRV816x 器件是半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道 MOSFET。柵極驅動電壓由GVDD電源引腳產生，集成自舉電路用于驅動高壓側FET，漏極高達102V。智能柵極驅動架構支持高達 1A 源極和 2A 灌電流的 16 級（48 個組合）柵極驅動峰值電流，以及柵極驅動電流的內置定時控制。這些器件可用于驅動各種類型的負載，包括無刷/有刷直流電機、永磁同步電機、步進電機、SRM 和螺線管。
*附件：drv8161.pdf

為電源欠壓、FET 過流和芯片過溫提供內部保護功能。nFAULT引腳指示保護功能檢測到的故障事件。nDRVOFF引腳獨立于PWM控制啟動功率級關斷。DRV8162和DRV8162L器件提供分體式電源架構，以協(xié)助安全轉矩關閉（STO）功能。

許多器件參數(shù)，包括柵極驅動電流、死區(qū)時間、PWM 控制接口和過流檢測，都可以通過連接到器件引腳的幾個無源元件進行配置。集成的低側電流檢測放大器（DRV8161）將電流測量信息反饋給控制器。

特性

驅動兩個半橋配置的 N 溝道 MOSFET
- 高側 MOSFET 源極/漏極高達 102V（絕對最大值）
- 8V（5V DRV8162L）至 20V 柵極驅動電源
- 集成自舉二極管
功能安全質量管理
- 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設計的文檔
通過集成涓流電荷泵支持 100% PWM 占空比
16級柵極驅動峰值電流
- 16mA - 1000mA 源電流
- 32mA - 2000mA 灌電流
- 源灌電流比 1：1、1：2、1：3
可調PWM死區(qū)時間插入20ns - 900ns
用于電機相位（SH）開關的穩(wěn)健設計
- 轉換速率 50V/ns
- 負瞬態(tài)電壓 -20V
- 2A強柵下拉
用于冗余關斷的分離式柵極驅動電源輸入（DRV8162、DRV8162L）
低失調電流檢測放大器（DRV8161）
- 可調增益（5、10、20、40V/V）
靈活的PWM控制接口;2引腳PWM、1引腳PWM和獨立PWM模式
13 級 VDS 過電流閾值
獨立關斷引腳（nDRVOFF）
柵極驅動器軟關斷序列
集成保護功能
- GVDD 欠壓（GVDDUV）
- 自舉欠壓（BST_UV）
- MOSFET 過流保護（VDS）
- 射擊穿透保護
- 熱關斷（OTSD）
- 故障狀態(tài)指示器（nFAULT）
支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入

參數(shù)

方框圖

?一、核心產品概述?

?型號?：DRV8161/DRV8162/DRV8162L（AEC-Q100認證，工業(yè)及汽車級）
?功能?：半橋柵極驅動器，集成自舉二極管、電流檢測放大器（DRV8161）及多重保護功能
?關鍵特性?：
- ?寬電壓支持?：GVDD供電8-20V（DRV8162L支持5V），MOSFET電源（VDRAIN）最高102V
- ?智能驅動架構?：16級可調柵極電流（源極16mA-1A/灌極32mA-2A），支持1:1至1:3源灌比配置
- ?保護功能?：GVDD/BST欠壓鎖定、VDS過流監(jiān)測（13級閾值）、熱關斷（OTSD）、-20V負瞬態(tài)耐受
- ?控制模式?：支持2-PIN PWM、1-PIN PWM及獨立PWM模式（通過DT/MODE引腳配置）
- ?封裝?：20引腳VSSOP（5.1×4.9mm）

?二、關鍵技術創(chuàng)新?

?智能柵極驅動?
- 動態(tài)調整MOSFET開關速度，支持外部門極電阻替代
- 可編程死區(qū)時間（20-900ns）及VGS監(jiān)測模式
?安全冗余設計?
- DRV8162/DRV8162L支持雙電源輸入（GVDD/GVDD_LS），實現(xiàn)安全扭矩關斷（STO）
?集成電流檢測?
- DRV8161內置雙向電流檢測放大器（增益5/10/20/40V/V），支持低側分流電阻測量

?三、典型應用場景?

?工業(yè)機器人?：協(xié)作機械臂、AGV驅動
?電機控制?：BLDC/PMSM/步進電機、伺服驅動器
?消費電子?：無人機、電動自行車/滑板車
?特殊負載?：電磁閥、開關磁阻電機（SRM）

?四、電氣特性與設計要點?

?參數(shù)?	?典型值?	?備注?
工作溫度范圍	-40°C ~ 125°C	結溫可達150°C
GVDD靜態(tài)電流	2mA（12V無負載）	含電荷泵活動電流
自舉二極管壓降	0.82V@100mA	集成TCP緩解電壓跌落
傳播延遲	41ns（上升沿）	高低側匹配誤差±4ns
VDS過流響應時間	3μs（含消抖）	支持脈沖/直流模式檢測

?設計建議?：

?布局優(yōu)化?
- 縮短GH/SH/GL/SL走線，減少寄生電感
- 自舉電容（CBST≥1μF）需靠近BST-SH引腳
?保護配置?
- VDSLVL電阻設置過流閾值（0.1V-2V）
- nFAULT引腳需外接10kΩ上拉電阻

?五、保護機制對比?

?故障類型?	?響應動作?	?恢復條件?
GVDD欠壓	關閉所有驅動，nFAULT拉低	電壓恢復至7.4V以上
VDS過流	立即關斷MOSFET，故障鎖存	INH/INL保持低電平>250μs
熱關斷（OTSD）	觸發(fā)軟關斷序列	結溫低于158°C（滯后8.5°C）