據(jù)媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時，展望未來五年，該領域有望實現(xiàn)15%至20%的年均復合成長率。

大摩的半導體產業(yè)分析師詹家鴻進一步透露，三星已計劃在2026年將HBM4基底技術的生產任務轉交給臺積電。面對市場需求的強勁增長，臺積電正加速其產能擴張步伐，并預計在2025年將資本支出提升至380億美元。

此外，在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域需求的強勁推動下，臺積電原本計劃在2026年將CoWoS技術的產能擴大至每月8萬片。然而，由于英偉達對該技術的需求異常旺盛，臺積電已決定將這一產能擴充計劃提前至2025年底前完成。因此，臺積電在未來五年內有望實現(xiàn)15%至20%的年均復合成長率。