亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是HBM3 為什么HBM很重要

SSDFans ? 來源:SSDFans ? 作者: EVE ? 2021-11-01 14:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

點擊藍字關(guān)注我們

從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用,對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。

HBM3將帶來2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種“慢而寬”的內(nèi)存技術(shù),用于減少芯片外內(nèi)存中的信號傳輸延遲,但現(xiàn)在HBM3正變得越來越快,越來越寬。在某些情況下,甚至被用于L4緩存。

Arm首席研究工程師Alejandro Rico表示:“這些新功能將使每傳輸位的焦耳效率達到更高水平,而且更多設(shè)計可以使用HBM3-only內(nèi)存解決方案,不需要額外的片外存儲。AI/ML、HPC和數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用可以利用大帶寬來保持可擴展性。合理利用HBM3帶寬需要一個具有高帶寬片上網(wǎng)絡(luò)和處理元素的處理器設(shè)計,通過提高內(nèi)存級并行性來使數(shù)據(jù)速率最大化?!?/p>

人工智能訓(xùn)練芯片通常需要處理萬億字節(jié)的原始數(shù)據(jù),而HBM3可以達到這個水平。Rambus的產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro指出:“用戶在開發(fā)ASIC電路來更好地解決人工智能問題的同時,需要更多的帶寬。

每個用戶都試圖想用一個更高效的處理器來實現(xiàn)他們特定的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),并在實現(xiàn)時達到更好的內(nèi)存利用率和CPU利用率。對于人工智能訓(xùn)練來說,HBM一直是最佳選擇,因為它提供了更多帶寬和更低功耗。雖然價格上有點貴,但對于這些應(yīng)用程序來說(尤其是進入云計算的應(yīng)用程序)還是負擔得起的。HBM3實際上只是一種自然遷移。”

b6f8cc9e-399f-11ec-82a9-dac502259ad0.png

雖然JEDEC尚未公布未獲批準的HBM3規(guī)范細節(jié),但Rambus報告稱其HBM3子系統(tǒng)帶寬將增加到8.4 Gbps(HBM2e為3.6Gbps)。采用HBM3的產(chǎn)品預(yù)計將在2023年初發(fā)貨。

“當芯片的關(guān)鍵性能指標是每瓦特內(nèi)存帶寬,或者HBM3是實現(xiàn)所需帶寬的唯一途徑時,采用HBM3是有益的,”Cadence的IP組總監(jiān)Marc Greenberg表示:“與基于PCB的方法(如DDR5、LPDDR5/5X或GDDR6)相比,這種帶寬和效率的代價是在系統(tǒng)中增加額外的硅,并可能增加制造/組裝/庫存成本。額外的硅通常是一個插入器,以及每個HBM3 DRAM堆棧下面的一個基模?!?/p>

為什么HBM很重要

自HBM首次宣布以來的十年里,已有2.5代標準進入市場。在此期間,創(chuàng)建、捕獲、復(fù)制和消耗的數(shù)據(jù)量從2010年的2 ZB增加到2020年的64.2 ZB,據(jù)Statista預(yù)測,這一數(shù)字將在2025年增長近三倍,達到181 ZB。

Synopsys的高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理Anika Malhotra表示:“2016年,HBM2將信令速率提高了一倍,達到2 Gbps,帶寬達到256 GB/s。兩年后,HBM2E出現(xiàn)了,實現(xiàn)了3.6 Gbps和460 GB/s的數(shù)據(jù)速率。性能需求在增加,高級工作負載對帶寬的需求也在增加,因為更高的內(nèi)存帶寬是實現(xiàn)計算性能的關(guān)鍵因素。”

“除此之外,為了更快地處理所有這些數(shù)據(jù),芯片設(shè)計也變得越來越復(fù)雜,通常需要專門的加速器、片內(nèi)或封裝內(nèi)存儲器及接口。HBM被視為將異構(gòu)分布式處理推到一個完全不同水平的一種方式。”

“最初,高帶寬內(nèi)存只是被圖形公司視為進化方向上的一步;但是后來網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心意識到HBM可以為內(nèi)存結(jié)構(gòu)帶來更多的帶寬。所有推動數(shù)據(jù)中心采用HBM的動力在于更低延遲、更快訪問和更低功耗?!盡alhotra說?!巴ǔG闆r下,CPU為內(nèi)存容量進行優(yōu)化,而加速器和GPU為內(nèi)存帶寬進行優(yōu)化。但是隨著模型尺寸的指數(shù)增長,系統(tǒng)對容量和帶寬的需求同時在增長(即不會因為增加容量后,對帶寬需求降低)。我們看到更多的內(nèi)存分層,包括支持對軟件可見的HBM + DDR,以及使用HBM作為DDR的軟件透明緩存。除了CPU和GPU, HBM也很受數(shù)據(jù)中心FPGA的歡迎?!?/p>

HBM最初的目的是替代GDDR等其他內(nèi)存,由一些領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司(特別是英偉達AMD)推動。這些公司仍然在JEDEC工作組中大力推動其發(fā)展,英偉達是該工作組的主席,AMD是主要貢獻者之一。

Synopsys產(chǎn)品營銷經(jīng)理Brett Murdock表示:“GPU目前有兩種選擇。一種是繼續(xù)使用GDDR,這種在SoC周圍會有大量的外設(shè);另一種是使用HBM,可以讓用戶獲得更多的帶寬和更少的物理接口,但是整體成本相對更高。還有一點需要強調(diào)的是物理接口越少,功耗越低。所以使用GDDR非常耗電,而HBM非常節(jié)能。所以說到底,客戶真正想問的是花錢的首要任務(wù)是什么?對于HBM3,已經(jīng)開始讓答案朝‘可能應(yīng)該把錢花在HBM上’傾斜?!?/p>

盡管在最初推出時,HBM 2/2e僅面向AMD和Nvidia這兩家公司,但現(xiàn)在它已經(jīng)擁有了龐大的用戶基礎(chǔ)。當HBM3最終被JEDEC批準時,這種增長有望大幅擴大。

關(guān)鍵權(quán)衡

芯片制造商已經(jīng)明確表示,當系統(tǒng)中有插入器時HBM3會更有意義,例如基于chiplet的設(shè)計已經(jīng)使用了硅插入器。Greenberg表示:“在許多系統(tǒng)中還沒有插入器的情況下,像GDDR6、LPDDR5/5X或DDR5這樣的PCB內(nèi)存解決方案可能比添加插入器來實現(xiàn)HBM3更具成本優(yōu)勢?!?/p>

然而,隨著規(guī)模經(jīng)濟發(fā)揮作用,這些權(quán)衡可能不再是一個問題。Synopsys的Murdock表示,對于使用HBM3的用戶來說,最大的考慮是管理PPA,因為與GDDR相比,在相同的帶寬下,HBM設(shè)備的硅面積更小、功耗更低,需要處理的物理接口也更少。

“此外,與DDR、GDDR或LPDDR接口相比,IP端的HBM設(shè)備在SoC上的物理實現(xiàn)方法相當野蠻粗暴。對于一般物理接口,我們有很多方法去實現(xiàn)它:可以在模具的側(cè)面放一個完整的線性PHY,可以繞過拐角,也可以把它折疊起來。但是對于HBM,當要放下一個HBM立體時,JEDEC已經(jīng)準確地定義了這個立體上的bump map是什么樣子的。用戶將把它放在插入器上,它將緊挨著SoC,所以如何在SoC上構(gòu)建bump map只有一個可行的選擇。”

這些決策會影響可靠性。雖然在bump方面減少了靈活性,但增加的可預(yù)測性意味著更高的可靠性。

特別是在2.5D和3D帶來的復(fù)雜性下,可以消除的變量越多越好。

Malhotra表示,在HBM3被廣泛采用的AI/ML應(yīng)用中,電源管理是最重要的考慮因素?!皩τ跀?shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備來說都是如此。權(quán)衡圍繞著功耗、性能、面積和帶寬。對于邊緣計算,隨著第四個變量(帶寬)加入到傳統(tǒng)的PPA方程中,復(fù)雜性正在不斷增加。在AI/ML的處理器設(shè)計或加速器設(shè)計中,功耗、性能、面積、帶寬的權(quán)衡很大程度上取決于工作負載的性質(zhì)?!?/p>

如何確保正常工作?

雖然HBM3實現(xiàn)看起來足夠簡單,但由于這些內(nèi)存通常用于關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序,必須確保它們能夠按預(yù)期工作。Rambus的產(chǎn)品營銷工程師Joe Rodriguez表示,應(yīng)該使用多個供應(yīng)商提供的芯片調(diào)試和硬件啟動工具,以確保整個內(nèi)存子系統(tǒng)正常運行。

用戶通常利用供應(yīng)商提供的測試平臺和模擬環(huán)境,這樣他們就可以使用控制器開始運行模擬,看看系統(tǒng)在HBM 2e/3系統(tǒng)上的表現(xiàn)如何。

Rambus公司的Ferro表示:“在考慮整體系統(tǒng)效率時,HBM實現(xiàn)一直是一個挑戰(zhàn),因為面積太小。面積小是件好事,但現(xiàn)在系統(tǒng)有了CPU或GPU,可能有4個或更多HBM DRAM。這意味著熱量、功耗、信號完整性、制造可靠性都是物理實現(xiàn)時必須解決的問題?!?/p>

b7913bfa-399f-11ec-82a9-dac502259ad0.png

為了從插入器和封裝設(shè)計中獲得最優(yōu)性能,即使在HBM2e,許多公司都努力通過插入器獲得良好的信號完整性。更復(fù)雜的是,每個代工廠對于這些插入器都有不同的設(shè)計規(guī)則,有些規(guī)則比其他的更具挑戰(zhàn)性。

結(jié)論

在可預(yù)見的未來,我們將繼續(xù)實現(xiàn)更高內(nèi)存帶寬,即將到來的HBM3有望開啟系統(tǒng)設(shè)計的一個新階段,將系統(tǒng)性能提升到一個新的水平。

為了實現(xiàn)這一點,行業(yè)參與者必須繼續(xù)解決數(shù)據(jù)密集型SoC的設(shè)計和驗證需求,以及最先進協(xié)議(如HBM3)的驗證解決方案。作為一個整體,這些解決方案應(yīng)該結(jié)合在一起,以允許對協(xié)議和時序檢查進行規(guī)范性驗證,保證設(shè)計可以得到充分驗證。

原文鏈接:

https://semiengineering.com/hbm3s-impact-on-chip-design/

編輯:jq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53294

    瀏覽量

    455772
  • soc
    soc
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    4486

    瀏覽量

    226917
  • 人工智能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1813

    文章

    49557

    瀏覽量

    259601
  • HBM
    HBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    422

    瀏覽量

    15657
  • HBM3
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    74

    瀏覽量

    459

原文標題:HBM3來了!

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

    HBM通過使用3D堆疊技術(shù),將多個DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片堆疊在一起,并通過硅通孔(TSV,Through-Silicon Via)進行連接,從而實現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點。HBM的應(yīng)用中,CowoS(Chip on W
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:47 ?1022次閱讀

    傳英偉達自研HBM基礎(chǔ)裸片

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)臺媒消息,傳聞英偉達已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片,預(yù)計英偉達的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造,計劃在2027年下半年進行小批量試產(chǎn)。并且這一時間點大致對應(yīng)"Rubin
    的頭像 發(fā)表于 08-21 08:16 ?2382次閱讀

    HBM應(yīng)用在手機上,可行嗎?

    ,HBM是采用多層DRAM芯片通過硅通孔(TVS)垂直堆疊,比如HBM3E就是8層或12層;而這些DRAM芯片通
    的頭像 發(fā)表于 07-13 06:09 ?6264次閱讀

    三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應(yīng)

    其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應(yīng)的相關(guān)事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:00 ?818次閱讀

    三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

    三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內(nèi)存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比,
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:59 ?934次閱讀

    美光發(fā)布HBM4與HBM4E項目新進展

    近日,據(jù)報道,全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進展。 據(jù)悉,美光科技的下一代HBM4內(nèi)存將采用
    的頭像 發(fā)表于 12-23 14:20 ?1191次閱讀

    芯片靜電測試之HBM與CDM詳解

    在芯片制造與使用的領(lǐng)域中,靜電是一個不容小覷的威脅。芯片對于靜電極為敏感,而HBM(人體模型)測試和CDM(充放電模型)測試是評估芯片靜電敏感度的重要手段。
    的頭像 發(fā)表于 12-16 18:07 ?8774次閱讀
    芯片靜電測試之<b class='flag-5'>HBM</b>與CDM詳解

    特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛,內(nèi)存大廠加速HBM4進程

    Dojo的性能。Dojo超級電腦是特斯拉用于自動駕駛技術(shù)開發(fā)和訓(xùn)練的重要工具,需要高存儲器帶寬來處理大量數(shù)據(jù)和復(fù)雜計算任務(wù)。據(jù)稱,目前特斯拉汽車主要配備了HBM2E芯片。 ? 而今年10月有消息表示,SK海力士在汽車內(nèi)存領(lǐng)域取得了顯著進展,已向谷歌母公司
    的頭像 發(fā)表于 11-28 00:22 ?3042次閱讀

    特斯拉也在搶購HBM 4

    據(jù)報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應(yīng)通用的HBM4芯片。預(yù)計
    的頭像 發(fā)表于 11-22 01:09 ?1327次閱讀
    特斯拉也在搶購<b class='flag-5'>HBM</b> 4

    ADS1000靜電敏感ESD(HBM)等級是多少?

    ADS1000: 請問靜電敏感ESD(HBM)等級是多少?規(guī)格書上沒有
    發(fā)表于 11-18 06:04

    AI時代核心存力HBM(上)

    ? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM 針對不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾個主要大類包括 LPDDR、DDR、GDDR
    的頭像 發(fā)表于 11-16 10:30 ?2921次閱讀
    AI時代核心存力<b class='flag-5'>HBM</b>(上)

    SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

    在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 18:20 ?1221次閱讀

    Rambus宣布推出業(yè)界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作負載

    基于一百多項HBM成功設(shè)計案例,確保芯片一次流片成功 在低延遲下提供超過HBM3兩倍的吞吐量,滿足生成式AI和高性能計算(HPC)工作負載的需求 擴展了業(yè)界領(lǐng)先的高性能內(nèi)存解決方案的半導(dǎo)體IP
    發(fā)表于 11-13 15:36 ?1004次閱讀
    Rambus宣布推出業(yè)界首款<b class='flag-5'>HBM</b>4控制器IP,加速下一代AI工作負載

    SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

    近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:01 ?1099次閱讀

    三星電子或向英偉達供應(yīng)先進HBM

    領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉,SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而,對于三星電子來說,向英偉達供應(yīng)HBM不僅是一個
    的頭像 發(fā)表于 11-04 10:39 ?685次閱讀