技術(shù)新突破，長電科技成功量產(chǎn)雙面封裝SiP產(chǎn)品

進入2020年，國內(nèi)新基建浪潮來襲，眾多芯片廠商大力推動5G芯片進入市場。芯片飛速發(fā)展的背后，封裝技術(shù)也乘勢進入快速發(fā)展階段。長電科技敏銳感知市場需求和技術(shù)發(fā)展趨勢，成功研發(fā)出更高密度的雙面封裝SiP工藝。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，為了滿足越來越多的應(yīng)用需求，電子封裝體正朝著小型化、微型化發(fā)展，因此系統(tǒng)級封裝技術(shù)（SiP）越來越受到重視。在5G通訊被快速推廣的今天，SiP技術(shù)可節(jié)省開發(fā)時間和避免試錯成本，因而被廣泛地應(yīng)用于移動終端設(shè)備中，具有很高的商業(yè)和技術(shù)價值。

隨著5G時代的來臨，Sub-6G和毫米波頻段上的移動終端產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用。如何滿足5G毫米波的射頻需求，并將更多元器件“塞”進體積微小的射頻前端模組是未來技術(shù)的關(guān)鍵點。

作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體微系統(tǒng)集成和封裝測試服務(wù)提供商，長電科技選擇直面挑戰(zhàn)，攻克技術(shù)難題，成功于2020年4月通過全球行業(yè)領(lǐng)先客戶的認(rèn)證，實現(xiàn)雙面封裝SiP產(chǎn)品的量產(chǎn)。

在這項突破性技術(shù)工藝中，長電科技設(shè)計的雙面封裝SiP產(chǎn)品成功應(yīng)用了雙面高密度、高精度SMT工藝，將大量的主被動元器件貼裝在基板兩面，器件間的間距更是小到只有幾十微米。

其次，雙面封裝SiP產(chǎn)品應(yīng)用C-mold工藝，實現(xiàn)了芯片底部空間的完整填充，并有效減少了封裝后的殘留應(yīng)力，保證了封裝的可靠性。Grinding工藝的采用，使封裝厚度有了較大范圍的選擇，同步實現(xiàn)精準(zhǔn)控制產(chǎn)品的厚度公差。

此外，雙面封裝SiP產(chǎn)品應(yīng)用Laserablation工藝，去除多余塑封料，為后續(xù)錫球再成型工藝預(yù)留了空間，確保了更好的可焊性。

面對5G芯片需求爆發(fā)，先進晶圓制程價格高企，SiP封裝技術(shù)使封裝環(huán)節(jié)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的價值得到大幅提升。可以預(yù)見，雙面封裝SiP的應(yīng)用將迎來繁盛期，而長電科技通過實現(xiàn)技術(shù)突破，成功將雙面SiP產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，將及時為國內(nèi)外客戶提供更先進、更優(yōu)質(zhì)的技術(shù)服務(wù)。