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• 電容振動試驗引線振斷了怎么把電容固定?。?/a>

  前提是在使用錦綸線或托帶捆綁電解電容的同時，先在電容器被捆綁部位的底部（與印制板的貼合面），和頂部預(yù)先涂上液態(tài)膠，待膠液尚未固化之前實施“緊固”，實現(xiàn)“液態(tài)濕安裝”。安裝完畢膠液固化后，就形成了下有“襯墊”，上有“卡箍”，天衣無縫，且無安裝應(yīng)力的緊固結(jié)構(gòu)。這種工藝過程中，使用GD414膠即可。...

  1901次閱讀 · 0評論 電容器電容
  

• 降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器概述

  將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓的必要性常常是工業(yè)、醫(yī)療甚至家庭領(lǐng)域眾多應(yīng)用的核心。...

  1395次閱讀 · 0評論 MOSFET電感器電源電壓降壓轉(zhuǎn)換器大功率電阻器
  

• 恒流二極管的特性、結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

  恒流二極管或CCD是一種特殊類型的二極管，允許其最大限值的恒定電流量。...

  2926次閱讀 · 0評論 電池充電器固態(tài)繼電器波形發(fā)生器恒流二極管JFET放大器
  

• 上海貝嶺BL370X系列低噪聲運算放大器簡介

  BL3701_BL3702_BL3704(簡稱BL370X)是上海貝嶺推出的系列軌到軌、高帶寬、低噪聲運算放大器，工作電壓支持2.1V-5.5V。BL370X系列運放具有高達12MHz的高增益帶寬，低至0.25mV的低失調(diào)電壓以及6.5nV/√Hz @1kHz的低噪聲，是低噪聲系統(tǒng)設(shè)計的理想選擇，B...

  957次閱讀 · 0評論 運算放大器運放低噪聲上海貝嶺
  

• 什么是二極管？PN結(jié)二極管的建設(shè)和工作

  “Di”=兩個，“ **Ode”=** 電極，即具有兩個電極的器件或組件，即陽極“+”（P）和陰極 **“-”** （N）。...

  1757次閱讀 · 0評論 電阻器調(diào)制解調(diào)器可變電阻電池供電半導體二極管
  

• COOL MOSFET的EMI設(shè)計指南

  本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進行分析和改善。...

  1219次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源emi電磁干擾
  

• PMOS防反接保護電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計解析

  隔離作用：也就是防反接，相當于一個二極管。使用二極管，導通時會有壓降，會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向?qū)〞r，在G極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導通，這樣通過電流時，幾乎不產(chǎn)生壓降。...

  4488次閱讀 · 0評論 MOSFET電路設(shè)計MOS管PMOS電源防反接
  

• 瑞能硅基功率二極管產(chǎn)品系列及其應(yīng)用介紹

  整流橋在電力電子拓撲中的應(yīng)用中，具備的特點包括：較低的導通壓降VF；反向恢復時間長；較強的浪涌能力。...

  933次閱讀 · 0評論 二極管功率二極管肖特基二極管恢復二極管整流橋
  

• NXP新一代模擬前端MC33774A芯片優(yōu)勢分析

  用于控制外部設(shè)備的I2C總線主接口，例如EEPROM和安全IC等； 8.具備周期喚醒功能； 9.具備反向喚醒功能，在發(fā)生故障時通過菊花鏈喚醒主機MCU； 10.支持SPI或隔離菊花鏈通信（TPL3）的主機接口； ? 2Mbit/s的TPL接口；...

  5937次閱讀 · 2評論 SPI電池管理系統(tǒng)bms電池控制器模擬芯片
  

• 怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

  為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。...

  989次閱讀 · 0評論 MOSFET電阻器電源電路柵極驅(qū)動器碳化硅
  

• 碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設(shè)計

  在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導體是市場上最先進的半導體之一。...

  1470次閱讀 · 0評論 電容器SCRVHDL語言碳化硅JFET放大器
  

• 影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？

  碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。...

  1943次閱讀 · 0評論 MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管柵極驅(qū)動器碳化硅
  

• 三極管的分類、工作原理及功能應(yīng)用

  三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導體器件。通常指本征半導體三極管，即BJT管。...

  18125次閱讀 · 0評論 三極管半導體晶體管PN結(jié)BJT
  

• 電容的幾個特殊的數(shù)值介紹

  我們在選擇的電容的時候，經(jīng)常碰到的容值是2.2uF、470nF、680uF、100nF這幾個常見的值。數(shù)值并沒有電阻那么豐富。下圖是某個比較全面的元器件銷售網(wǎng)站的部分可選容值。其實最常見的還是：1、2.2、3.3、4.7、6.8開頭的這幾個選項。從括號中表示選擇的型號數(shù)量，也可以看出規(guī)律。...

  2853次閱讀 · 0評論 電容電感有源濾波器
  

• 運算放大器學習筆記

  電源電壓（VCC）– 運算放大器正常工作時，兩個電源引腳之間的電壓差。...

  1621次閱讀 · 0評論 振蕩器運算放大器運放晶體管電源電壓
  

• 功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：溝槽結(jié)構(gòu)介紹

  垂直導電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。...

  13176次閱讀 · 1評論 MOSFET電阻器熱插拔隔離電源寄生電容
  

• 聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

  碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率密度的提升等優(yōu)勢。...

  5737次閱讀 · 0評論 二極管IGBTSiC碳化硅閾值電壓
  

• 二極管和三極管的區(qū)別

  　　二極管是一種半導體電子器件，屬于雙極器件的一種。它是由一個P型半導體和一個N型半導體組成的，對于N型半導體來說，其材料具有過量電子，被稱為“多子”，而P型半導體則對應(yīng)著少子，“空穴”，在兩者結(jié)合處會形成電子所在的區(qū)域，稱為P-N結(jié)。...

  8097次閱讀 · 0評論 放大器三極管二極管半導體

• 晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別

  晶體管是一種三層器件，由三個PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成。PN結(jié)是由不同材料的半導體單元（P型材料和N型材料）焊接在一起形成的一個結(jié)，它有兩個區(qū)域，一個是P區(qū)，一個是N區(qū)，P區(qū)和N區(qū)之間形成了空間電荷區(qū)，筑起一道屏障，把兩邊的自由載流子分開，因此，在PN結(jié)形成的空間電荷區(qū)內(nèi)沒有載流子流動，也即空間電荷區(qū)在兩邊阻攔了...

  4263次閱讀 · 0評論 半導體場效應(yīng)管晶體管PN結(jié)

• 晶體管和晶閘管的區(qū)別

  晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。...

  2682次閱讀 · 0評論 半導體元器件晶閘管晶體管
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