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在精密電路設(shè)計(jì)中，偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù)，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。...
由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對(duì)高頻信號(hào)的旁路作用；②導(dǎo)線之間的寄生電容使高頻信號(hào)發(fā)生耦合，降低了濾波效果。...
0Ω電阻到底能過(guò)多大電流？這個(gè)問題想必每位硬件工程師都查過(guò)。而與之相關(guān)的還有一個(gè)問題，那就是0Ω電阻的阻值到底有多大？...
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。...
二極管種類繁多，它們根據(jù)不同工藝結(jié)構(gòu)和用途是有大小之分的...
今天我們來(lái)分析下為什么在輕負(fù)載條件下，恒流精度有變化。上篇文章也提到過(guò)失調(diào)電壓，失調(diào)電壓是造成這個(gè)誤差的主要因素。首先，回顧下該電路，為方便計(jì)算，調(diào)整下反饋電阻參數(shù)，將比例改為1倍，可得負(fù)載電流 I=Vin/R5。（具體公式推導(dǎo)工程請(qǐng)看1月16的微頭條文章），在這里為排除由正反饋和負(fù)反饋兩個(gè)環(huán)路反饋...
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時(shí)的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。...
針對(duì)有刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)在各種應(yīng)用場(chǎng)景中的不同需求，SiLM94112/SiLM94108可支持獨(dú)立、順序或并行模式驅(qū)動(dòng)。為實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)、滑行和制動(dòng)控制，用戶可通過(guò)SiLM94112/SiLM94108的SPI通訊自主控制半橋上管和下管的開通和關(guān)斷。...
首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC，通過(guò)物理氣相傳輸（PVT）制備單晶 第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過(guò)1毫米 第三，通過(guò)不同粒度的金剛石研磨液，將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。...
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。TVS 有單向與雙向之分，單向 TVS 一般應(yīng)用于直流供電電路，雙向 TVS 應(yīng)用于電壓交變的電路。如圖 1 所示，應(yīng)用于直流...
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。...
實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。...
如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來(lái)，一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。...
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中，絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）無(wú)疑是一顆耀眼的明星，其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位，讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚的興趣。IGBT的強(qiáng)大功效和多重應(yīng)用領(lǐng)域，使得它在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，成為現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發(fā)展歷程，讓我...
今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片，工業(yè)級(jí)。...
今天和大家分享一顆雙路高速M(fèi)SOFET驅(qū)動(dòng)芯片-TPS2812的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動(dòng)芯片，工業(yè)級(jí)。這顆芯片內(nèi)部集成了一顆LDO,最高可以支持到40V的電壓，-40到125度的工作溫度。...
MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響...
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料...
根據(jù)采樣定理，超過(guò)奈奎斯特頻率的輸入信號(hào)頻率為“混疊”頻率。也就是說(shuō)，這些頻率被“折疊”或復(fù)制到奈奎斯特頻率附近的其它頻譜位置。為防止混疊，必須對(duì)所有有害信號(hào)進(jìn)行足夠的衰減，使得ADC不對(duì)其進(jìn)行數(shù)字化。欠采樣時(shí)，混疊可作為一種有利條件。...
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