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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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MCU內(nèi)部的I/O結(jié)構(gòu)和驅(qū)動能力
經(jīng)常會聽到MCU某I/O的驅(qū)動能力是xxmA,那么到底什么是驅(qū)動能力呢?如果某IO的驅(qū)動能力是5mA,它就輸出不了超過5mA的電流了嗎?為什么IO的驅(qū)動...
低側(cè)柵極驅(qū)動器的應(yīng)用設(shè)計指南
本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
汽車電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運行,數(shù)以百計的負(fù)載掛在汽車電池上,需要同時確定負(fù)載狀態(tài)的汽車電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設(shè)計
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時,下管必...
電路設(shè)計時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
當(dāng)輸出電壓增大時,F(xiàn)B增大,放大器輸出電壓增加,PMOS管的G極電壓增大,Usg減小,PMOS的輸出電流和電壓較小,形成了一個負(fù)反饋系統(tǒng)。
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2.7k 0
Vt roll-off核心是(同一個工藝節(jié)點下面)閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長度比較長的時候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小,閾值電壓會下...
今天在群里看到了一張圖,是TI的一個40V~400V非隔離型的高端電流檢測方案的一個原理框圖,這個圖里,比較有意思的一點就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...
2023-12-06 標(biāo)簽:二極管運算放大器穩(wěn)壓二極管 2.6k 0
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