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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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單鍵電子開關(guān)電路圖 單鍵電子開關(guān)電路原理分析
最近從網(wǎng)上看到一個單鍵電子開關(guān)電路,覺得還挺有意思的,比較適合DIY。雖然之前也分析過一個單鍵電子開關(guān)電路,但是相對來說,當(dāng)時的電路還是比較繁瑣的,用的...
2023-07-19 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路電子開關(guān) 3.9k 0
如圖所示,令左路電流為10u,PM1和PM0寬長比相同,則由電流鏡定律,右側(cè)電流也為10u,目標(biāo):設(shè)計較為精確的電流鏡,要求輸出(PM3漏端)電壓>...
模擬開關(guān)是電子開關(guān)的一種,為了導(dǎo)通(或隔離)模擬信號(包括電壓和電流信號)以及支持模擬應(yīng)用(例如音頻和視頻數(shù)據(jù)傳輸)而設(shè)計的。需要注意跟負(fù)載開關(guān)做區(qū)分,...
2023-02-09 標(biāo)簽:NMOS模擬開關(guān)PMOS 3.7k 0
如果讓大家舉個PMOS管實際應(yīng)用電路,恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關(guān)控制電路外,實在是想不出更多其它實用電路了。
2023-10-11 標(biāo)簽:芯片開關(guān)電路整流器 3.6k 0
汽車電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運行,數(shù)以百計的負(fù)載掛在汽車電池上,需要同時確定負(fù)載狀態(tài)的汽車電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
PMOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)點,如低功耗、高速度和良好的集成性。然而,要充分利用PMOS晶體管的性能,我們需要了解其...
2024-08-01 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體材料PMOS 3.4k 0
LDO是Low Dropout Regulator的縮寫,意思是低壓差線性穩(wěn)壓器。
LDO(low dropout regulator),低壓差線性調(diào)整器是一種用于調(diào)節(jié)較高電壓輸入產(chǎn)生的輸出電壓的簡單方法。在大多數(shù)情況下,低壓差線性調(diào)整...
功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時間越長,便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計的困難度也會降低。例如,手機越做越薄,性能還不受影響,就是因為低功耗設(shè)計發(fā)揮了至...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動,只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后,MOS才會導(dǎo)通(這里指NMOS)。
在設(shè)計控制電路時需要使用12V-15A 電源,機器中使用了6 個微型直流電機,工作中不是同時轉(zhuǎn)動的,正常工作電流最大約5.8A ,堵轉(zhuǎn)電流超過12A(這...
2023-04-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源電路設(shè)計控制電路 3.3k 0
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