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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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從不同類型IGBT封裝對焊料要求差異看結(jié)構(gòu)和場景的適配邏輯
不同 IGBT 封裝對焊料的要求差異,本質(zhì)是場景決定性能優(yōu)先級。中低功率、低成本場景(TO 封裝):焊料需“夠用就行”,優(yōu)先控制成本;中高功率、工業(yè)場景...
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一:IGBT功率器件測試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試...
2025-10-29 標(biāo)簽:IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀 508 0
STGSH80HB65DAG汽車級IGBT技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個(gè)IGBT和二極管,采用緊湊、堅(jiān)固的表面貼裝...
?EVALSTGAP4S隔離式柵極驅(qū)動演示板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVALSTGAP4S演示板用于評估 STGAP4S先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器,用于IGBT和SiC MOSFET。該...
?STGD4H60DF IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelec...
2025-10-23 標(biāo)簽:IGBT高速高頻轉(zhuǎn)換器 969 0
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽車級MS系列IGBT采用先進(jìn)、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開發(fā)。該IGBT屬于...
STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT設(shè)計(jì)采用獲得專利的先進(jìn)溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelect...
STGHU30M65DF2AG汽車級IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽車級IGBT采用先進(jìn)的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)進(jìn)行開發(fā)。STMicroelectro...
STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個(gè)IGBT和二極管。 ...
STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...
2025-10-15 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 1.2k 0
?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動器總結(jié)
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MO...
?UCC218915-Q1 汽車級單通道隔離預(yù)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC218915-Q1 是一款電隔離式單通道預(yù)驅(qū)動器,專為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能...
UCC27735 700V半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,適用于驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)...
?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接...
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 1.9k 0
浮思特 | TRinno特瑞諾 600V IGBT TGAF40N60F2D如何賦能高可靠性電源系統(tǒng)
在追求高效、節(jié)能與穩(wěn)定的電力電子世界里,IGBT作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心器件,其性能的優(yōu)劣直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的表現(xiàn)。因此,選擇一款性能卓越的IGBT至關(guān)...
2025-09-30 標(biāo)簽:IGBT電源系統(tǒng) 1.5k 0
TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
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