STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個IGBT和二極管，采用緊湊、堅固的表面貼裝封裝。 STMicroelectronics STGSH80HB65DAG IGBT針對軟換向進行了優(yōu)化，可最大限度地降低導通和開關損耗。 每個開關均包含一個低壓差續(xù)流二極管，因此非常適合用于高效諧振和軟開關應用。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 符合AQG 324標準
• 高速開關系列
• 最高結(jié)溫：TJ = 175°C
• 低VCE(sat) = 1.7V（典型值）IC = 80A時
• 最少的拖尾電流
• 參數(shù)分布緊密
• 得益于DBC基板，熱阻低
• 正溫度VCE(sat) 系數(shù)
• 高速軟恢復反向并聯(lián)二極管
• 隔離額定值為3.4kVrms/最小值

原理圖和引腳描述

STGSH80HB65DAG汽車級IGBT技術深度解析與應用指南

?一、產(chǎn)品核心特性概述?
STGSH80HB65DAG是意法半導體推出的汽車級ACEPACK SMIT封裝半橋結(jié)構IGBT模塊，集成了650V/80A的HB系列IGBT與續(xù)流二極管。該器件通過AQG 324認證，具備175℃最高結(jié)溫能力，采用DBC襯底實現(xiàn)0.6℃/W（IGBT）和0.8℃/W（二極管）的低熱阻特性，專為諧振和軟開關應用優(yōu)化。

?二、關鍵電氣參數(shù)解析?

1. ?靜態(tài)特性?
   • 飽和壓降：典型值1.7V@80A（25℃），具備正溫度系數(shù)特性
   • 門極閾值電壓：4.5-6.5V（VCE=VGE, IC=1mA）
   • 隔離耐壓：3.4kVrms（引腳與散熱板間）
2. ?動態(tài)性能?
   • 開關能量：Eon=0.95mJ，Eoff=1.3mJ@400V/80A/25℃
   • 柵極電荷：典型值456nC@520V/80A
   • 二極管反向恢復：trr=26ns, Qrr=1.2μC@175℃

?三、半橋拓撲設計要點?

1. ?引腳功能定義?

   引腳	符號	功能說明
   1	G1	高壓側(cè)IGBT門極
   2	K1	高壓側(cè)開爾文發(fā)射極
   6	G2	低壓側(cè)IGBT門極
   7	U	相位輸出節(jié)點
   9	DC+	正直流輸入

2. ?驅(qū)動設計要求?

   • 推薦柵極電阻：8.2Ω
   • 驅(qū)動電壓范圍：±20V（連續(xù)）, ±30V（瞬態(tài)）

?四、熱管理與可靠性設計?

1. ?散熱配置建議?
   • 最大功耗：250W@25℃
   • 瞬態(tài)熱阻抗：ZthJC=0.1℃/W@tp=1ms（IGBT）
   • 建議在TC=100℃時降額至65A連續(xù)工作
2. ?安全運行區(qū)域?
   • 脈沖電流能力：269A@1ms
   • 正向偏置SOA受VCE(sat)和擊穿電壓雙重限制

?五、汽車電子應用實踐?

1. ?車載充電器（OBC）設計?
   • 利用軟恢復二極管特性降低EMI
   • 通過緊湊型SMIT封裝實現(xiàn)>30mm的爬電距離
2. ?DC/DC變換器優(yōu)化?
   • 采用半橋結(jié)構減少元器件數(shù)量
   • 利用低VCE(sat)特性提升輕載效率

?六、測試驗證方法論?

1. ?開關特性測試電路?
   • 采用100μH電感負載
   • 配置3.3μF直流母線電容

?七、設計注意事項?

1. 門極布線需采用雙絞線降低寄生電感
2. 相位輸出節(jié)點（Pin7）需預留電流探針檢測位置
3. 開爾文引腳（Pin2/Pin5）必須獨立連接到驅(qū)動回路