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      標簽　>　fram

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      fram簡介

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

      　　特點

      　　FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

      　　FRAM存儲單元結構

      　　FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位

      fram百科

      　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

      　　特點

      　　FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

      　　FRAM存儲單元結構

      　　FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位

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      fram知識

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      fram技術

      一文解析鐵電存儲器使用及工作原理

      一文解析鐵電存儲器使用及工作原理

      FRAM存儲器操作經過設計，以使在開關電容器中感應出的電荷至少是未開關電容器可用電荷的兩倍。

      2021-01-21 標簽：DRAM存儲器fram 2.2萬 0

      鐵電存儲器在多MCU系統(tǒng)中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

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      通過利用 BQ25570 PMIC啟動能量采集

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      富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術上滿足“定制化”需求？

      各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復讀寫次數、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同，存儲技術正在走向細分……

      2017-09-04 標簽：framreramNRAM 1.3萬 1

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      集合了ROM和RAM優(yōu)點的FRAM存儲器，根據接口不同又有哪些特點呢？

      集合了ROM和RAM優(yōu)點的FRAM存儲器，根據接口不同又有哪些特點呢？

      FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢？

      2017-09-04 標簽：存儲器fram 1.1萬 0

      MSP430 FRAM業(yè)界最低功耗的MCU

      MSP430 (3) 超低功耗FRAM

      2018-08-14 標簽：mcumsp430fram 1.0萬 0

      獨立FRAM存儲器方案設計,特點有哪些？

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      FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRA...

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      鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

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      2017-09-16 標簽：汽車電子存儲器fram 7.7k 0

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      fram資訊

      FRAM 或是目前選用存儲器的最佳選擇

      選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以...

      2018-06-02 標簽：存儲器單芯片fram 1.5萬 0

      富士通分享三大存儲技術 各具獨特堪稱黑馬技術

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      “FRAM（鐵電存儲器）用于數據記錄；NRAM（碳納米管存儲）用于數據記錄和電碼儲存， 還可替代NOR Flash；ReRAM（電阻式記憶體）可替代大容...

      2018-05-04 標簽：framreram非易失性存儲器 1.1萬 0

      帶你了解最熱門的三款FRAM產品

      帶你了解最熱門的三款FRAM產品

      這兒有最最最最最熱門的三款FRAM產品。

      2017-08-22 標簽：icfram 9.3k 1

      fram是什么存儲器_FRAM技術特點

      鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...

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      FRAM憑三大優(yōu)勢如何進軍三大目標市場？

      作為系統(tǒng)關鍵組成部分，存儲性能至關重要。各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復讀寫次數、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同，存儲技術正在走向細分。

      2018-04-18 標簽：半導體FRAM 6.1k 0

      富士通半導體推出低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM MB85RC16

      富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準...

      2012-11-27 標簽：FRAM存儲芯片富士通半導體 6.1k 2

      富士通在存儲器領域的另類崛起 用20年專注演繹叢林法則

      FRAM的非易失性對于當時業(yè)界可以說是顛覆性的，存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲信息的特性，這意味著電路中無須加入后備電池，仍可在...

      2019-02-21 標簽：存儲器FRAM富士通 5.4k 0

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