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標(biāo)簽 > 3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間,但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。

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3d nand資訊

Gartner:2016年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備年增11%

在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設(shè)備支出成長(zhǎng)推動(dòng)下,調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示,2016全年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模年增11.3%,達(dá)374....

2017-04-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓3D NAND 981 0

從華為P10閃存芯片事件,你看到了什么?

日前,網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)華為P10不同批次手機(jī)采用了不同規(guī)格的閃存芯片。網(wǎng)上對(duì)此眾說(shuō)紛紜。華為官方也因此發(fā)表聲明,華為手機(jī)跟國(guó)內(nèi)外多家優(yōu)秀的閃存供應(yīng)商合作,同時(shí)為...

2017-04-21 標(biāo)簽:3d nand華為p10 6.3k 0

慧榮科技FerriSSD 嵌入式引導(dǎo)加載應(yīng)用

相較而言,大眾市場(chǎng) SSD 是專(zhuān)為成本敏感的消費(fèi)領(lǐng)域( 消費(fèi)娛樂(lè)音頻/視頻應(yīng)用程序)而設(shè)計(jì),可能允許一定的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

2017-04-19 標(biāo)簽:SSD3D NAND慧榮科技 1.7k 0

蘋(píng)果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來(lái)iPhone

據(jù)報(bào)道,蘋(píng)果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊,這比以前的 48...

2017-04-12 標(biāo)簽:海力士蘋(píng)果3d nand 1.3k 0

臺(tái)積電或競(jìng)標(biāo)東芝股案 藉此進(jìn)入3DNAND芯片代工

近日,東芝(Toshiba)出售NANDFlash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧,近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策,將再找晶圓代工業(yè)者...

2017-03-03 標(biāo)簽:東芝臺(tái)積電3d nand 684 0

臺(tái)積電敲門(mén)東芝3D NAND代工 擊破三星補(bǔ)貼政策

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,東芝(Toshiba)出售NAND Flash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧,近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策,將再找...

2017-03-02 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電3D NAND 819 0

3D NAND良率是NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù)

3D NAND良率是NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報(bào)道,去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原廠(chǎng)全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND,但3D N...

2017-02-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND Flash3D NAND 1.7k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。

2017-02-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2k 0

中國(guó)在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D N...

2017-02-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3D NAND 1.1k 0

紫光集團(tuán)2600億投資南京半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)

1月18日下午,新春佳節(jié)來(lái)臨之際,從南京傳來(lái)喜訊,紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約。據(jù)披露,此次投資達(dá)到2600億元,目前雙方已經(jīng)敲定了產(chǎn)線(xiàn)動(dòng)工日期。聯(lián)系...

2017-01-20 標(biāo)簽:DRAM3D NAND紫光 2.2k 0

SK海力士72層3D NAND內(nèi)存?zhèn)?017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),...

2016-12-27 標(biāo)簽:SK海力士3D NAND 1.6k 0

中韓NAND Flash軍備競(jìng)賽再起 2018年或供過(guò)于求

儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)軍備競(jìng)賽再起,南韓存儲(chǔ)器大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能;...

2016-12-26 標(biāo)簽:NAND Flash3D NAND 753 0

SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限,供需失衡下,DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠(chǎng)商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下,同樣...

2016-12-23 標(biāo)簽:DRAMSK海力士3D NAND 1.2k 0

2016半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為396.9億美元

2016半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為396.9億美元

戴維斯表示,預(yù)計(jì)2016年全球半導(dǎo)體制造裝置市場(chǎng)規(guī)模為396.9億美元。同比增加8.7%。預(yù)計(jì)2017年將同比增加9.3%,達(dá)到434億美元。關(guān)于推動(dòng)市...

2016-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料3D NAND 3k 0

我國(guó)三大存儲(chǔ)力量漸成 未來(lái)發(fā)展引人矚目

近日,東南大學(xué)網(wǎng)站的一則《北京兆易創(chuàng)新-合肥共建項(xiàng)目招聘簡(jiǎn)章》受到行業(yè)內(nèi)關(guān)注,盡管事后兆易創(chuàng)新發(fā)布澄清說(shuō)明,稱(chēng)其與合肥長(zhǎng)鑫及其相關(guān)方的合作項(xiàng)目目前僅處于...

2016-12-06 標(biāo)簽:NAND閃存3D NAND兆易創(chuàng)新 2k 0

大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競(jìng)爭(zhēng)白熱化

大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競(jìng)爭(zhēng)白熱化

傳三星電子平澤廠(chǎng)(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn),SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開(kāi)...

2016-10-10 標(biāo)簽:東芝三星電子intel 2.1k 0

美光3D NAND低成本制程分析 海力士/東芝能否趕上?

目前,我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì),但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于,海力士(...

2016-09-12 標(biāo)簽:東芝存儲(chǔ)器海力士 2.1k 0

干貨!一文看懂3D NAND Flash

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片...

2016-08-11 標(biāo)簽:東芝三星電子Intel 4.5萬(wàn) 0

打破主流存儲(chǔ)器空白 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢正式成立

武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局,并...

2016-08-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器清華紫光3D NAND 2.2k 0

Intel大連工廠(chǎng)投產(chǎn):造世界最先進(jìn)3D NAND!

經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力,英特爾大連非易失性存儲(chǔ)(NVRAM)制造新項(xiàng)目7月初在大連實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月,英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設(shè)為世界...

2016-07-27 標(biāo)簽:英特爾Intel3D NAND 1.3k 0

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  • 云儲(chǔ)存
    云儲(chǔ)存
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    云存儲(chǔ)是在云計(jì)算(cloud computing)概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念,是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù),本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存,云數(shù)據(jù)存儲(chǔ),免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好,云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
  • 富士通
    富士通
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    富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力,致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)(東京證券交易所上市代碼:6702)截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元(400億美元)。
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    江波龍
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    非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存,非易失性存儲(chǔ)器(英語(yǔ):non-volatile memory,縮寫(xiě)為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類(lèi)產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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    合肥長(zhǎng)鑫
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    2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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    存儲(chǔ)行業(yè)
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    nosql
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      NoSQL僅僅是一個(gè)概念,泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù),區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù),它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
  • 云盤(pán)
    云盤(pán)
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    云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具,是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物,它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存,讀取,下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
  • 安博會(huì)
    安博會(huì)
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  • V-NAND
    V-NAND
    +關(guān)注
  • FORESEE
    FORESEE
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    FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司(longsys)的存儲(chǔ)品牌。
  • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
    +關(guān)注
    2016年5月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商,公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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